CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная / продукты / Electronic IC Chips /

Новый/первоначальный транзистор Mosfet силы NPN ДВУХПОЛЯРНЫЙ 120 вольт 0,5 Amps 2N1893

контакт
CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MsDoris Guo
контакт

Новый/первоначальный транзистор Mosfet силы NPN ДВУХПОЛЯРНЫЙ 120 вольт 0,5 Amps 2N1893

Спросите последнюю цену
Номер модели :2N1893
Место происхождения :Первоначальная фабрика
Количество минимального заказа :100pcs
Условия оплаты :T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки :8000
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :Пожалуйста свяжитесь я для деталей.
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Новый/первоначальный транзистор Mosfet силы NPN ДВУХПОЛЯРНЫЙ 120 вольт 0,5 Amps 2N1893
Максимальные оценки

ОЦЕНКА СИМВОЛ МАКСИМАЛЬНЫЙ.

БЛОК

Напряжение тока коллектор- эмиттераVCEO80Vdc
Напряжение тока коллектор- эмиттераVCER100Vdc
Напряжение тока коллектора- базаVCBO120Vdc
Напряжение тока Излучател-основанияVEBO7,0Vdc
Течение сборника - непрерывноеIC0,5Adc
Полная диссипация @ T прибора a = 25oC Derate над 25oCPD

0,8
4,57

Ватт mW/oC
Полная диссипация @ t прибора c = 25oC Derate над 25oCPD

3,0
17,2

Ватт mW/oC
Температурная амплитуда рабочей температурыTJ-55 до +200oC
Диапазон температур храненияTS-55 до +200oC
Термальное сопротивление, соединение к окружающемуRqJA219oC/W
Термальное сопротивление, соединение, который нужно покрыватьRqJA58oC/W


Механический план

Электрические параметры (ЖИВОТИКИ @ 25°C если не указано иное)
ХАРАКТЕРИСТИКИСИМВОЛMIN.ТИП.МАКСИМАЛЬНЫЙ.БЛОК
С характеристик
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера (i c = 100 mAdc, RBE = 10 омов) (1)BVCER100 --
Напряжение тока коллектор- эмиттера терпя (1) (i c = 30 mAdc, IB = 0) (1)BVCEO 80 --
Пробивное напряжение коллектора- база (i c = 100 mAdc, IE = 0)BV (BR) CBO120 --Vdc
Пробивное напряжение Излучател-основания (IE = 100 mAdc, IC = 0)BV (BR) CBO7,0 --
Начальный ток коллектора (V CB = 90 Vdc, IE = 0) (V CB = 90 Vdc, IE = 0, ЖИВОТИКИ = 150o c)ICBO

--
--

0,01
15

mAdc
Течение выключения излучателя (VEB = 5,0 Vdc, IC = 0)IEBO

--

0,01mAdc
На характеристиках
D.C. Настоящее увеличение (IC = 0,1 mAdc, VCE = 10 Vdc) (I c = 10mAdc, VCE = 10 Vdc) (1) (I c = 10mAdc, VCE = 10 Vdc, ЖИВОТИКИ = -55o c) (1) (I c = 150mAdc, VCE = 10 Vdc) (1)hFE

20
35
20
40

--
--
--
120

--
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера (1) (IC = 150 mAdc, IB = mAdc 15)VCE (Sat)-- 0,5Vdc
Напряжение тока сатурации Основани-излучателя (1) (Ic = 150 mAdc, IB = mAdc 15)VCE (Sat)-- 1,3Vdc
Величина небольшого коэффициента пропускного тока короткого замыкания сигнала (I c = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 20 MHz)/hfe/3 10
Емкость выхода (V CB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1,0 MHz)COBO5 15pF
Входное комплексное сопротивление = (i c = 5,0 mAdc, VCB = 10 Vdc, f = 1.0kHz)hib4,0 8,0Омы
Коэффициент обратной связи напряжения тока (I c = 5,0 mAdc, VCB = 10 Vdc, f = 1,0 КГц)hrb-- 1,5X 10до4
Увеличение Небольш-сигнала настоящее (i c = 1,0 mAdc, VcB = 5.0Vdc, f = 1,0 КГц) (i c = mAdc 5,0, VCB = 10 Vdc, f = 1,0 КГц)hfe

35
45

100
--

--
Вход выхода (i c = 5,0 mAdc, VCB = 10 Vdc, f = 1,0 КГц)hob

--
--

0,5mmho
Ответ ИМПа ульс (Vcc = 20Vdc, Ic = 500mAdc)тонна + tof-- 30ns


(1) тест ИМПа ульс: Госпожа £ 300 ширины ИМПа ульс, £ 2,0% круга обязаностей.

Запрос Корзина 0