Вспышка последовательного интерфейса серийная FRAM обломока 4Kbit флэш-памяти FM24CL04B-GTR быстрая двухпрободная
Описание
FM24CL04B энергонезависимая память 4-Kbit используя предварительный ferroelectric процесс. Ferroelectric оперативное запоминающее устройство или F-RAM слаболетучи и выполняют читают и пишут подобное RAM. Он обеспечивает удерживание достоверных данных на 151 лет пока исключающ сложности, накладные расходы, и на уровне систем проблемы надежности причиненные EEPROM и другими энергонезависимыми памятями. Не похож на EEPROM, FM24CL04B выполняет для записи деятельности на скорости автобуса. Никакой напишите задержки произведите. Данные написаны в массив памяти немедленно после каждого байта успешно возвращены к прибору. Следующий цикл автобуса может начать без потребности для полинга данных. К тому же, продукт предлагает существенное пишет выносливость сравненную с другими энергонезависимыми памятями. Также, F-RAM показывает гораздо ниже силу во время пишет чем EEPROM с тех пор пишут деятельность не требуют внутренне повышенного напряжения тока электропитания для пишут цепи. FM24CL04B способно на поддерживать прочитанное 1014/пишет циклы, или 100 миллионов времена больше пишут циклы чем EEPROM. Эти возможности делают идеал для применений энергонезависимой памяти, требование FM24CL04B частое или быстрый пишет. Примеры выстраивают в ряд от регистрации данных, где номер пишет циклы может быть критическим, к требовать промышленным контролям где длинные пишут время EEPROM могут причинить потерю данных. Сочетание из отличает позволяет более частым данным писать с меньше накладных расходов для системы. FM24CL04B снабжает существенные преимущества потребители сериала (I2C) EEPROM как оборудование падени-в замене. Спецификации прибора гарантированы над промышленным диапазоном температур – 40 c к C. +85.
Особенности
■ferroelectric оперативное запоминающее устройство 4-Kbit (F-RAM) логически
организованный как 512 × 8
Высоко-выносливость 100 триллион ❐ (1014) прочитала/пишет
❐ удерживание 151 данному по года (см. удерживание и выносливость данных
на страница 10)
❐ NoDelay™ пишет
Процесс предварительной высоко-надежности ❐ ferroelectric
■Быстрый двухпрободный последовательный интерфейс (I2C)
❐ до частоты 1-MHz
❐ направляет замену оборудования для сериала (I2C) EEPROM
❐ поддерживает времена наследия для 100 КГц и 400 КГц
■Потребление низкой мощности
❐ 100 активный ток на 100 КГц
течение a ❐ 3 (типа) резервное
■Деятельность напряжения тока: VDD = 2,7 v до 3,65 v
■Промышленная температура: – 40 c к +85 c
■пакет интегральной схемаы плана 8 штырей небольшой (SOIC)
■Ограничение опасных веществ (RoHS) уступчивых
Применения
Промышленный, сообщение & сеть
