CO. электроники Шэньчжэня Dowis, Ltd
Shenzhen Dowis Electronics Co.,Ltd
Add to Cart
Тип высокочастотный изготовитель PQ3530 PQ трансформатора подгонял DW6759
CO. электроники Шэньчжэня Dowis, Ltd. профессиональный изготовитель электронных трансформаторов, индукторов, и фильтров интегрируя НИОКР, продукцию, и продажи. Национальное высокотехнологичное предприятие и проходило IATF16949: аттестация системы управления качеством автомобильной промышленности 2016, продукт проходила «"" CQC UL» и другие сертификации безопасности. Продукты широко использованы в оборудовании связи, новых кораблях энергии, промышленной аппаратуре регулирования, высокомощных приводах СИД, и других областях рынка. Индустрия имеет высокую видимость. В дополнение к внутреннему рынку, но также экспортированный к много стран в Европе и Соединенных Штатах.
Дальше для того чтобы расширить производственную мощность, оно настраивало особенный район конструкции испытательного участка в сотрудничестве Zhaoqing YueGui в 2018 из 14000 квадратных метров центра обрабатывающей промышленности назвало ZhaoQing Sheng Xiang электронным CO. технологии, Ltd. Свои команда управления техническая имеют богатый опыт в сотрудничать с клиентами от известных отечественных предприятий и международное. Дизайн продуктов может полно следовать потребностями и обслуживаниями клиента с системой хорошей проверки качества, и много известных предприятий как поставщики ядра. Мы смотрим вперед к сотрудничать с вами.
1. Рисовать (блок: mm)
2. Условия окружающей среды
3. Электрическая спецификация
| Деталь | Блок | Цикл испытания | Условие испытаний | МИНУТА | НИ | МАКС | Примечание |
| Значение индуктивности | µH | 4,5-2,3 | 100KHz, 0.3V, Ser | 34 | 36 | 38 | |
| Индуктивность рассеяния | µH | 4,5-2,3 | 100KHz, 0.3V, Ser (Другое обматывая короткое замыкание) | / | / | 0,4 | |
| Значение q | / | 4,5-2,3 | 100KHz, 0.3V, Ser | 100 | / | / | |
| Диэлектрик Прочность | мамы | Основн-вторичный | 2000Vdc, 60s | / | / | 1 | |
| мамы | Основн-ядр | 1000Vdc, 60s | / | / | 1 | ||
| мамы | Вторичн-ядр | 1000Vdc, 60s | / | / | 1 | ||
| Постояннотоковое Resistanc | mΩ | 4,5-2,3 | 25℃ | / | / | 10 | |
| mΩ | 7,8,9-10,11,12 | 25℃ | / | / | 3,0 | ||
| ОБРАЗОВЫВАЯ ДУГУ тест | v | / | / | / | / | / | Заполните внутри когда продукт необходим |
| Сопротивление изоляции | MΩ | Np-Ns | 500Vdc | 100 | / | / | |
| Замотка поворачивает коэффициент | / | N1: N2 | 5:14 | NA | 20KHz, 1V | NA | Необходим, что будет обматывая коэффициент точным значением, и никакие максимальные или минимально |
4. Окаймляясь процесс нижнего магнитного ядра трансформатора
Используйте ленту около 24mm широкую для создания программы-оболочки 1 слоя вдоль края магнитного ядра, угол ленты быть повреждено.