Одиночное scintillator компьютерной томографии излучения фотона (SPECT) GAGG (ce)
Ce: Кристалл GAGG показывает стабилизированные медицинский осмотр и химические свойства, высокую термальную проводимость, и сопротивление к жестким окружающим средам. Он показывает превосходное сверкая представление, например, высокая сверкая эффективность, высокий светлый выход, и быстрое время разложения. Ce: Кристаллы GAGG широко использованы в фотоумножительных трубках, светоэлектрических счетчиках, экранах сцинтилляции, и других приборах. И использованный в обнаружении частицы высокой энергии и других полях, как бета-лучи, гамма-лучи. Из-за превосходного представления сцинтилляции Ce: YAG кристаллическое, он широко использован в CT, просматривающ электронный кинескоп SEM и другое оборудование. В частности, линейный ответ кристаллов GAGG к гамма-лучам показывает что Ce: Кристаллы GAGG многообещающая технология медицинского отображения, как фотография рентгеновского снимка, компьютерная томография рентгеновского снимка (CT), и томография излучения поситрона (ЛЮБИМЕЦ). ). Одиночные кристаллические scintillators часто использованы в просматривая электронной микроскопии (SEM).
Аньхой Crystro участвует в выставках видов каждый год: Мир лазера Photonics Мюнхена, Шанхая, запада Photonics в Сан-Франциско, CIOE в Шэньчжэне, etc.
CRYSTRO предлагает:
кристаллы с
Высокая плотность
Высокий светлый выход
Быстрое время разложения
Химически инертный
Высокая чувствительность
Разрешение высокой энергии
Главные преимущества:
1. Относительно яркий – испускать >50,000 фотоны/MeV
2. Хорошие амортизаторы с хорошими задерживающими способностями - ³ плотности 6,63 g/cm
3. Широко испускающ с пиком 540nm
4. Хорошее разрешение энергии
Главные программы:
обнаружение γ-Рэй
Медицинское отображение рентгеновского снимка
Ядерная физика
Обнаружение ядерной радиации
ЛЮБИМЕЦ
Основные свойства:
| Химическая формула | ₂ ₁ ₃ o Ga ₂ Al ₃ Gd |
| Атомный номер (эффективный) | 54,4 |
| Метод роста | Czochralski |
| Плотность | 6.63g/cm3 |
| Твердость Mohs | 8 |
| Точка плавления | 1850℃ |
| Coeff теплового расширения. | TBA x ⁶ 10 ‾ |
