Категории продукта

Магнитооптические кристаллы

[54]

Субстраты одиночного Кристл

[29]

Кристаллы пьезоэлектрического влияния

[68]

Амортизатор Фарадея

[21]

Кристаллы Ссинтилатион

[19]

Кристаллы лазера

[19]

Переключатель клетки к Покельс

[10]

Другие одиночные кристаллы

[5]

ТГГ Кристл

[5]

Кристалл ТСАГ

[4]

GGG Кристл

[11]

Вафля LaAlO3

[9]

Кристаллы переключателя q

[11]

контакт

ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Посетите вебсайт

Страна/регион:china

Контактное лицо:MsWu

контактная информация

контакт

China 4inch субстраты венисы галлия гадолиния диаметра 500µM Ggg wholesale

4inch субстраты венисы галлия гадолиния диаметра 500µM Ggg

Спросите последнюю цену

Видеоканал

Номер модели :CR210127-01

Место происхождения :КИТАЙ

Количество минимального заказа :1pc

Условия оплаты :Т/Т, западное соединение, МонейГрам, ПайПал

Способность поставки :5000pcs в месяц

Срок поставки :4-5векс

Упаковывая детали :1000 ровная супер чистая комната, прозрачная чистая коробка

Материал :4inch субстраты диаметра 500µm толстые GSGG

Диаметр :4инч

Толщиной :500µm

Метод выращивания кристаллов :Кзокральски

Ориентация :(100), (111)

Максимальный размер :диаметр 4 дюймов

Решетка постоянн :12.497A

Плотность :7.09г/км3

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Метки товара:

sapphire substrate

gallium nitride wafer

hexagonal boron nitride

Запрос Корзина 0