Клетка Pockels Q-переключателя серии LGS Electro-оптическая (EO)
Новый вид Q-переключателя EO конструирован при помощи кристаллаGa5SiQ14 Ла3 (LGS). Кристалл LGS один вид оптически активного материала NLO с очень высоким порогом повреждения (о 9 раз как это из LN), превосходным коэффициентом E-O, высокотемпературной стабильностью (лучшей чем кварц), Q-переключатель основан на рассмотрении что полный угол вращения самолета поляризации нул, тогда как поляризовыванная волна распространяет через клетку Pockels взад и вперед, с гирацией поляризации плоской и electro-оптическим влиянием существуя одновременно, поэтому она широко использована в компонентах E-O как модулятор/демодулятор E-O, Q-переключатель, etc.
Переключатель LGS electro-оптический q проходит свет вдоль направления z кристалла и прикладывает электрическое поле вдоль направления x, которое может сделать полную пользу бокового electro-оптического влияния кристалла осуществить функцию Q-переключателя кристалла LGS. Electro-оптический Q-переключатель сделанный LGS фактически новый вид вращени-electro-оптически Q-переключателя.
Основные свойства:
| Химическая формула |
La3Ga5SiQ14 |
| Кристаллическая структура |
Trigonal; a=b=7.453Å, c=6.293Å |
| Плотность |
5,75 g/cm3 |
| Точка плавления |
°C 1470 |
| Ряд прозрачности |
242 до 3200 nm |
| R.I. |
1,89 |
| Electro-оптические коэффициенты |
γ41=1.8 pm/V, γ11=2.3 pm/V |
| Резистивность |
1.7×1010 Ω·см |
| Плывучесть |
Никакой |
| Коэффициенты теплового расширения |
α11=5.15×10-6 /K (⊥Z-ось); α33=3.65×10-6 /K (∥Z-ось) |
Особенности:
- Q-переключатель LGS основанный на (клетка Pockels);
- Для длин волны до 3.2μm;
- Искажение фронта переданной волны: < l/4;
- Порог повреждения: >900MW/cm2 (гарантированные @1064nm, 10ns, типичные,);
- LGS доступное для средних электрических систем, частично случиться DKDP и LiNbOQ-переключатели3 серий.
