Субстрат SGGG, субстраты венисы галлия гадолиния Subsituted для YIG БОЛЬШОГО
Кристаллическая SGGG одиночная, замененная вениса галлия гадолиния растется методом Czochralski. Субстрат SGGG превосходен для для расти висмут-замененные эпитаксиальные пленки венисы утюга, хороший материал для YIG, BiYIG, GdBIG.
| Состав | (Gd2.6Ca0.4) (Ga4.1Mg0.25Zr0.65) O12 |
| Кристаллическая структура | Кубический: =12.480 Å, |
| Молекулярное wDielectric constanteight | 968 096 |
| Расплавьте пункт | ~1730 oC |
| Плотность | | 7,09 g/cm3 |
| Твердость | | 7,5 (mohns) |
| R.I. | 1,95 |
| Диэлектрическая константа | 30 |
| Тангенс диэлектрической потери (10 GHz) | CA. 3,0 * 10_4 |
| Метод выращивания кристаллов | Czochralski |
| Направление выращивания кристаллов | <111> |
Поставка GGG CRYSTRO кристаллическая с:
| Ориентация | <111> <100> в пределах минуты дуги ±15 |
| Искажение фронта волны | <1/4 wave@632 |
| Допуск диаметра | ±0.05mm |
| Допуск длины | ±0.2mm |
| Скосите | º 0.10mm@45 |
| Плоскостность | волна <1/10 на 633nm |
| Параллелизм | < 30 секунд дуги |
| Perpendicularity | < минута 15 дуг |
| Качество поверхности | 10/5 царапина/раскопок |
| Ясное Apereture | >90% |
| Большие размеры кристаллов | 2.8-76 mm в диаметре |
