Категории продукта

Кристаллы пьезоэлектрического влияния

[68]

Переключатель клетки к Покельс

[10]

Кристаллы переключателя q

[11]

контакт

ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Посетите вебсайт

Страна/регион:china

Контактное лицо:MsWu

контактная информация

контакт

China Ce Допированный Гадолиний Алюминий Галлий Гарнет Ce GAGG Однокристаллический wholesale

Ce Допированный Гадолиний Алюминий Галлий Гарнет Ce GAGG Однокристаллический

Спросите последнюю цену

Видеоканал

Место происхождения :КНР

Минимальное количество заказов :1pc

Условия оплаты :T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

Способность к поставкам :5000 штук в месяц

Время доставки :4-5 недель

Подробная информация об упаковке :Прозрачная чистая коробка

Номер модели :CR201209-01

Материал :Ce dooped вениса галлия гадолиния алюминиевая

Атомный номер :54,4

Метод роста :Czochralski

Диаметр :>60mm

Толерантность размеров :± 0,05 мм

Польский :S/D 10/5

Параллельно :10 футов

Перпендикуляр :5'

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Ce Doped Gadolinium Aluminium Gallium Garnet (Ce:GAGG) Кристалл

GAGG ((Ce) - Гадолиний Алюминий Галлий Гарнет (Gd3Al2Ga3O12), допированный Ce - это недавно разработанный сцинтиллятор.GAGG ((Ce) имеет хорошую тормозную силу, физически прочный и хорошо подходит для широкого спектра применений.

Основные преимущества:

Хорошие поглотители с хорошей тормозной способностью - плотность 6,63 г/см3
Прочный с хорошими механическими характеристиками

Основные применения:

Медицинская визуализация - ПЭТ, ПЭМ, ПЭКТ и КТ
Специализированные приложения в области высокой энергии, ядерной, космической и медицинской физики

Основные свойства:

Химическая формула	Гд₃Аль.₂Пошли.₃О₁₂
Атомный номер (фактический)	54.4
Способ выращивания	Цочральски
Плотность	60,63 г/см³
Твердость Моха	8
Точка плавления	1850°С
Тепловое расширение Кофф.	TBA x 10 ̅6