ЕС RoHS	Уступчивый
ECCN (США)	EAR99
Состояние части	Активный
SVHC	Да
Автомобильный	Никакой
PPAP	Никакой
Категория продукта	MOSFET силы
Конфигурация	Двойной
Технологический прочесс	NexFET
Режим канала	Повышение
Тип канала	P
Количество элементов в обломок	2
Максимальное напряжение тока источника ворот (v)	-6
Максимальное напряжение тока порога ворот (v)	1,1
Максимальное непрерывное течение стока (a)	3,9
Максимальное течение утечки источника ворот (nA)	100
Максимальное IDSS (uA)	1
Максимальное сопротивление источника стока (MOhm)	54@4.5V
Типичная обязанность @ Vgs ворот (nC)	2,9
Типичная входная емкость @ Vds (pF)	458
Максимальная диссипация силы (mW)	700
Типичное время падения (ns)	16
Типичное время восхода (ns)	8,6
Типичное время задержки поворота- (ns)	32,1
Типичное время задержки включения (ns)	12,8
Минимальная рабочая температура (°C)	-55
Максимальная рабочая температура (°C)	150
Упаковка	Лента и вьюрок
Пакет поставщика	DSBGA
Отсчет Pin	9
Имя стандартного пакета	BGA
Установка	Поверхностный держатель
Высота пакета	0,28 (Макс)
Длина пакета	1,5
Ширина пакета	1,5
PCB изменил	9
Форма руководства	Шарик

MOSFET транзистора TI CSD75207W15 одевает двойной Pin DSBGA T/R p CH 3.9A 9

Электронный блок Кристл

Электронные диоды и транзисторы

Блок MCU микроконтроллера

Хранение данных флэш-памяти

Соединитель доски PCB

Интегральная схемаа SMD

Модуль цифров электронный

MOSFET наивысшей мощности

СИД оптической электроники

Пассивные электронные блоки

Цепь FPC гибкая напечатанная

Обслуживание собрания PCB

Электронное табло цифров

Реле силы сигнала

Глубокий переключатель SMD

Инструменты разработчика

Кабельная проводка UL

Датчики электронного блока

Собрания кольца выскальзывания

MOSFET транзистора TI CSD75207W15 одевает двойной Pin DSBGA T/R p CH 3.9A 9

MOSFET транзистора TI CSD75207W15 одевает двойное P-CH 3.9A 9-Pin DSBGA T/R

Технические данные продукта

sst 5136 pfb vme

mosfet transistor datasheet

mosfet ic number