Посмотреть описание продукта
MOSFET транзистора TI CSD75207W15 одевает двойное P-CH 3.9A 9-Pin DSBGA T/R
Технические данные продукта
| ЕС RoHS |
Уступчивый |
| ECCN (США) |
EAR99 |
| Состояние части |
Активный |
| SVHC |
Да |
| Автомобильный |
Никакой |
| PPAP |
Никакой |
| Категория продукта |
MOSFET силы |
| Конфигурация |
Двойной |
| Технологический прочесс |
NexFET |
| Режим канала |
Повышение |
| Тип канала |
P |
| Количество элементов в обломок |
2 |
| Максимальное напряжение тока источника ворот (v) |
-6 |
| Максимальное напряжение тока порога ворот (v) |
1,1 |
| Максимальное непрерывное течение стока (a) |
3,9 |
| Максимальное течение утечки источника ворот (nA) |
100 |
| Максимальное IDSS (uA) |
1 |
| Максимальное сопротивление источника стока (MOhm) |
54@4.5V |
| Типичная обязанность @ Vgs ворот (nC) |
2,9 |
| Типичная входная емкость @ Vds (pF) |
458 |
| Максимальная диссипация силы (mW) |
700 |
| Типичное время падения (ns) |
16 |
| Типичное время восхода (ns) |
8,6 |
| Типичное время задержки поворота- (ns) |
32,1 |
| Типичное время задержки включения (ns) |
12,8 |
| Минимальная рабочая температура (°C) |
-55 |
| Максимальная рабочая температура (°C) |
150 |
| Упаковка |
Лента и вьюрок |
| Пакет поставщика |
DSBGA |
| Отсчет Pin |
9 |
| Имя стандартного пакета |
BGA |
| Установка |
Поверхностный держатель |
| Высота пакета |
0,28 (Макс) |
| Длина пакета |
1,5 |
| Ширина пакета |
1,5 |
| PCB изменил |
9 |
| Форма руководства |
Шарик |
