Флэш-память М25ПЭ80-ВМН6П 8-Мбит страниц-стираемая серийная с автобусом МХз СПИ альтерабилиты 75 байта

М25ПЭ80-ВМН6П 8-Мбит, страниц-стираемая серийная флэш-память с альтерабилиты байта, 75 автобусом МХз СПИ, стандартным пиноут

Особенности

Последовательный интерфейс автобуса СПИ совместимый

страниц-стираемая флэш-память 8-Мбит

Размер страницы: 256 байт – страница напишите в госпоже 11 (типичной) – вызывают программу в 0,8 госпожах (типичных) – вызывают стирание в госпоже 10 (типичной)

Стирание подсектора (4 кбайта)

Стирание участка (64 кбайта)

Оптовое стирание (8 Мбиц)

2,7 в к 3,6 в определяют подачу напряжения

Ход часов 75 МХз (максимум)

Глубокое µА режима 1 силы-вниз (типичное)

Электронная подпись – подпись ДЖЭДЭК стандартная двубайтовая (8014х) – уникальный код ИД (УИД) с 16 байтами только для чтения, доступный на запросе клиента только в процессе Т9ХС

Программное обеспечение пишет защиту на основание участка 64-Кбыте

Оборудование пишет защиту области памяти выбранной используя биты БП0, БП1 и БП2

Больше чем 100 000 пишут циклы

Больше чем 20 лет удерживания данных

Пакеты – ЭКОПАКК® (РоХС уступчивое)

Описание

М25ПЭ80 8-Мбит (1 флэш-память Мб ×8) вызванная сериалом получать доступ к высокоскоростным СПИ-совместимым автобусом. Памяти можно написать или запрограммированные 1 до 256 байт одновременно, используя страницу напишите или вызовите инструктирование по программе. Страница пишет инструкцию состоит из интегрированного цикла стирания страницы следовать циклом программы страницы. Память организована как 16 участков которые более добавочно разделены вверх в 16 подсекторов каждое (256 подсекторов в итоге). Каждый участок содержит 256 страниц и каждый подсектор содержит 16 страниц. Каждая страница байт 256 широко. Таким образом, всю память можно осмотреть как состоять из 4096 страниц, или 1 048 576 байт. Память можно стереть страницу одновременно, используя инструкцию стирания страницы, подсектор одновременно, используя инструкцию стирания подсектора, участок одновременно, используя инструкцию стирания участка, или в целом, используя оптовую инструкцию стирания. Память может быть защищена от записи или оборудованием или программным обеспечением используя смешивание испаряющих и слаболетучих особенностей защиты, в зависимости от потребностей применения. Степень детализации защиты 64 кбайтов (степени детализации участка).

Важное примечание

Эта схема данных детализирует функциональность приборов М25ПЭ80, основанную на предыдущем процессе Т7И или основанную на настоящем процессе Т9ХС (доступном с июня 2007). Доставка частей работая с максимальным ходом часов 75 МХз начинает от недели 8 2008.

Что изменения?

М25ПЭ80 в процессе Т9ХС предлагает следующие дополнительные особенности:

весь массив памяти разделен в подсекторы 4-Кбыте

 2 новых инструкции: напишите регистр состояния (ВРСР) и стирание подсектора 4-Кбыте (ССЭ)

Регистр состояния: 4 битам можно написать (БП0, БП1, БП2, СРВД)

Входной сигнал ВП (штырь 3): напишите пределы защиты расширенн, в зависимости от значения БП0, БП1, БП2, биты СРВД. ВП пишут защиту остаются этими же если биты (БП2, БП1, БП0) установлены на, то (0, 0, 1)

 небольшой умирает размер позволяющ собранию в пакет СО8Н.

Подавленная особенность:

Предохранение от записи (определенное биты замком ВЛ и ЛД) подсекторов 4-Кбыте в участках верхней части и дна больше не не предложено. Для получения более подробной информации угодите сошлитесь на ПКНМПГ062148.

Горячее продавая предложение!!!