продукты Поставщики Sign in Register

Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Сайт Участник
10 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / Power Mosfet Transistor / Транзистор влияния поля мосфет ик силы МОСФЭТ Н-канала ССС7Н60Б 600В /

show pictures

Категории продукта

обломок интегральной схемаы

 [629]

programmable обломоки ic

 [290]

Печатная плата чипов

 [276]

Диод выпрямителя тока

 [509]

Транзистор Mosfet силы

 [450]

3 Pin Транзистор

 [234]

RJ45 локальные сети Jack

 [15]

Датчик давления IC

 [55]

Модуль питания Mosfet

 [72]

SMD феррит

 [113]

smd вело диод

 [42]

SMD резисторы

 [31]

Электронные IC чипы

 [509]

компоненты электроники

 [204]
контакт
Anterwell Technology Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissSharon Yang
контактная информация
контакт

Транзистор влияния поля мосфет ик силы МОСФЭТ Н-канала ССС7Н60Б 600В
Транзистор влияния поля мосфет ик силы МОСФЭТ Н-канала ССС7Н60Б 600В
  • Транзистор влияния поля мосфет ик силы МОСФЭТ Н-канала ССС7Н60Б 600В
продукты подробные
Транзистор влияния поля мосфет ик силы МОСФЭТ Н-канала ССС7Н60Б 600В Особенности • 7.0А, 600В, РДС (дальше) = 1.2Ω @ВГС = 10 в • Низкая обязанность во...
список продуктов, подробные →
Метки товара:
ИГБТ напряжение ворот Мосфет мощности канала n транзистор двухполярного соединения

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4