АДК0820ККН электронный ИК откалывает 8-разрядный высокоскоростной совместимый конвертер А/Д

АДК0820

конвертер А/Д 8-разрядного высокоскоростного µП совместимый с функцией следа/владения

Общее описание

Путем использование метода преобразования полу-вспышки, 8-разрядное АДК0820 КМОС А/Д предлагает время преобразования 1,5 µс и рассеивает только 75 мВ из силы. Метод полу-вспышки состоит из 32 компараторов, самого значительного 4 бита АДК и наименьшего значительного 4 бита АДК.

Входной сигнал к АДК0820 отслежен и придержан сетями забора входного сигнала исключая потребность для внешнего образц-и-владения для сигналов двигая на меньше чем 100 мВ/µс. Для легкости интерфейса к микропроцессорам, АДК0820 было конструировано для того чтобы появиться как участок памяти или порт И/О без потребности для внешней взаимодействуя логики.

Ключевые спецификации

• Биты разрешения 8

• Μс Макс времени преобразования 2,5 (режим РД)

                                   1,5 µс Макс (режим ВР-РД)

• Низкая мощность 75 мВ Макс

• Полное Унадджустед

   Ошибка ±1⁄2 ЛСБ и ± 1 ЛСБ

Особенности

• Встроенная функция след-и-владением

• Отсутствие кодов отсытствий

• Отсутствие внешнего хронометрировать

• Определите поставку — 5 ВДК

• Легкий интерфейс ко всем микропроцессорам, или приводится в действие отдельно стоящее

• Запертый на задвижку выход ТРИ-СТАТЭ®

• Входы и выходы логики встречают и МОС и Т2 л спецификации уровня напряжения тока

• Работает ратиометрикалли или с любым значением ссылки равным к или меньше чем ВКК

• 0В к ряду напряжения тока ввода аналога 5В с одиночной поставкой 5В

• Никакие зеро или в натуральную величину не регулируют необходимое

• Доступное выведенное наружу переполнением для каскадировать

• 0,3" стандартное ПОГРУЖЕНИЕ штыря ширины 20

• 20 отлитый в форму штырями пакет несущей обломока

• пакет плана 20 штырей небольшой

• пакет (SSOP) плана сокращения 20 штырей небольшой

Соединение и функциональные диаграммы

Абсолютный максимум оценок (примечаний 1, 2)

Если войска/воздушно-космическое пространство определили, то приборы необходимы, пожалуйста контактируют национальные раздатчиков офиса по сбыту полупроводника для наличия и спецификаций.

Подача напряжения (в_КК) 10В

Входные сигналы −0.2В управлением логики к в_КК +0.2В

Напряжение тока на других входах и выходах −0.2В к в_КК +0.2В

Диапазон температур −65˚К хранения к +150˚К

Упакуйте диссипацию на Т_а = 25˚К 875 мВ

Течение входного сигнала на любом Пин (мамах 1 примечания 5)

Течение входного сигнала пакета (примечание 5) 4 мамы

ЭСД Суссептабилиты (примечание 9) 1200В

Темп руководства. (Паять, сек 10.)

    Двойн-В-линия пакет (пластмасса) 260˚К

    Двойн-В-линия пакет (керамическое) 300˚К

    Поверхностный пакет держателя

        Участок пара (сек 60.)                                                             215˚К

        Инфракрасный (сек 15.)                                                                     220˚К

Предложение запаса (горячее надувательство)