Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Сайт Участник
10 лет
Главная / продукты / Power Mosfet Transistor /

МОСФЭТ силы Н-канала ик транзистора Мосфет силы ИРФД120 электрический

контакт
Anterwell Technology Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissSharon Yang
контакт

МОСФЭТ силы Н-канала ик транзистора Мосфет силы ИРФД120 электрический

Спросите последнюю цену
Номер модели :IRFD120
Место происхождения :Первоначально фабрика
Количество минимального заказа :10pcs
Термины компенсации :T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы :8500PCS
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :пожалуйста свяжитесь я для деталей
Стеките к пробивному напряжению источника :100 v
Стеките для того чтобы отстробировать напряжение тока :100 v
Непрерывное течение стока :1,3 а
Пульсированное течение стока :5,2 а
Максимальная диссипация силы :1,0 в
Оператинг и температура хранения :℃ -55 до 150
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

 

ИРФД120

1.3А, 100В, 0,300 ома, МОСФЭТ силы Н-канала

 

Этот предварительный МОСФЭТ силы конструирован, испытан, и гарантирован для того чтобы выдержать определенный уровень энергии в режиме лавины нервного расстройства деятельности. Эти транзисторы влияния поля силы ворот кремния режима повышения Н-канала конструированные для применений как регуляторы переключения, конвертеры переключения, водители мотора, водители реле, и водители для транзисторов переключения наивысшей мощности двухполярных требуя высокоскоростной и низкой силы привода ворот. Их можно эксплуатировать сразу от интегральных схема.

В прошлом отработочный тип ТА17401.

 

Особенности

• 1.3А, 100В

• рДС(ДАЛЬШЕ) = 0.300Ω

• Одиночная расклассифицированная энергия лавины ИМПа ульс

• СОА ограничиваемая диссипация силы

• Скорости переключения наносекунды

• Линейные характеристики передачи

• Высокое входное комплексное сопротивление

• Родственная литература

   - ТБ334 «директивы для паяя поверхностных компонентов держателя к доскам ПК»

 

Абсолютный максимум оценок тк = 25℃, если не указано иное

ПАРАМЕТР СИМВОЛ ИРФД120 БЛОКИ
Стеките к пробивному напряжению источника (примечанию 1) ВДС 100 В
Стеките для того чтобы отстробировать напряжение тока (РГС = 20кΩ) (примечание 1) ВДГР 100 В
Непрерывное течение стока ИД 1,3 А
Пульсированное течение стока ИДМ 5,2 А
Ворота к напряжению тока источника ВГС ±20 В
Максимальная диссипация силы ПД 1,0 В
Линейный коэффициент снижения номинальной мощности (см. диаграмму 1)    0,008 В/℃
Определите оценку энергии лавины ИМПа ульс (примечание 3) ЭКАК 36 мДж
Оператинг и температура хранения ТДж, ТСТГ -55 до 150

Максимальная температура для паять

Руководства на 0.063ин (1.6мм) от случая для 10с

Упакуйте тело для 10с, см. Течбриеф 334

 

ТЛ

Тпкг

 

300

260

 

ПРЕДОСТОРЕЖЕНИЕ: Стрессы над теми перечисленными в «абсолютном максимуме оценок» могут причинить постоянное повреждение к прибору. Это стресс только классифицируя и не подразумевается деятельность прибора на этих или всех других условий над теми показанными в рабочих разделах этой спецификации.

ПРИМЕЧАНИЕ:

1. Тдж = 25℃ к 125℃.

3. ВДД = 25В, начиная тдж = 25℃, л = 32мХ, рг = 25Ω, пик ИКАК = 1.3А.

МОСФЭТ силы Н-канала ик транзистора Мосфет силы ИРФД120 электрический

 

МОСФЭТ силы Н-канала ик транзистора Мосфет силы ИРФД120 электрический

 

Упаковка

МОСФЭТ силы Н-канала ик транзистора Мосфет силы ИРФД120 электрический

 

 

 

 

Предложение запаса (горячее надувательство)

Номер детали. Количество Бренд Д/К Пакет
ЛМК7211АИМ5С 4873 НСК 15+ СОТ-23-5
Л7808АБД2Т 3983 СТ 14+ СОП
ЛМ7332МАС 1723 НСК 15+ СОП-8
30238* 439 БОСКХ 10+ ЗИП-15
30284* 339 БОСКХ 10+ ЗИП-15
НДЖУ3718АМ 2900 ДЖРК 16+ СОП
30374* 559 БОСКХ 10+ ЗИП-15
30579* 501 БОСКХ 10+ КФП-64
30458* 346 БОСКХ 10+ КФП-64
НЛ17СВ16СВ5Т2Г 10000 НА 16+ СОТ
АИ1101В-ТР 1090 СТЭНЛИ 14+ СМД
НТД3055Л104Т4Г 10000 НА 11+ ТО-252
30054* 208 БОСКХ 10+ ЗИП-3
ПИК18Ф2580-И/СП 4563 МИКРОСХЕМА 16+ ПОГРУЖЕНИЕ
МК74ХК08АДТР2Г 30000 НА 10+ ТССОП
МП2104ДДЖ-1.8 5735 МПС 16+ СОТ
МП2104ДДЖ-ЛФ-З 10000 МПС 16+ СОТ
МАС3221ИПВР 10300 ТИ 15+ ТССОП
БД82НМ70 СЛДЖТА 549 ИНТЭЛ 13+ БГА
ПИК32МС564Ф128Л-И/ПТ 500 МИКРОСХЕМА 15+ ТКФП-100
АТТИНИ2313-20СУ 3779 АТМЭЛ 15+ СОП-20
ЛТ1761ЭС5-3.3#ТР 10610 ЛТ 16+ СОТ-23-5
НУП2105ЛТ1Г 30000 НА 16+ СОТ23-6
ПДС1040Л-13 13780 ДИОДЫ 16+ СМД
ЛМ335М 4854 НСК 14+ СОП-8
МИК94052ИК6 6718 МИК 16+ СК70-5
МК74ВХК1Г04ДТТ1 10000 НА 16+ СОТ
ЛП38501ТДЖ-АДДЖ 634 ТИ 14+ ТО-263
ЛП5951МГС-2.5 5596 НСК 15+ СК70-5
МДЖЭ18008 65000 НА 15+ ТО-220

 

 

 

 

 

 

Запрос Корзина 0