Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Сайт Участник
10 лет
Главная / продукты / Power Mosfet Transistor /

Транзистор быстрое С-ИГБТ Мосфет силы СГП02Н120 в НПТ-технологии

контакт
Anterwell Technology Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissSharon Yang
контакт

Транзистор быстрое С-ИГБТ Мосфет силы СГП02Н120 в НПТ-технологии

Спросите последнюю цену
Номер модели :СГП02Н120
Место происхождения :Первоначально фабрика
Количество минимального заказа :10pcs
Термины компенсации :T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы :8300пкс
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :пожалуйста свяжитесь я для деталей
Напряжение тока коллектор- эмиттера :1200 v
Течение сборника ДК :6,2 а
Пульсированное течение сборника :9,6 а
Напряжение тока Строб-Излучателя :±20 v
Диссипация силы :62 в
Работая температура соединения и хранения :-55… +150°К
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

 

СГП02Н120, СГБ02Н120, СГД02Н120

 

Быстрое С-ИГБТ в НПТ-технологии

 

 

• 40% более низкий е сравненное к предыдущему поколению

• Время витхстанд короткого замыкания – 10 µс

• Конструированный для:

  - Управления мотора

  - Инвертор

  - СМПС

• Предложения НПТ-технологии:

  - очень плотное распределение параметра

  - высокая пересеченность, поведение конюшни температуры

  - параллельная возможность переключения

 

Транзистор быстрое С-ИГБТ Мосфет силы СГП02Н120 в НПТ-технологии

 

Максимальные оценки

Параметр Символ Значение Блок
Напряжение тока коллектор- эмиттера ВКЭ 1200 В

Течение сборника ДК

Тк = 25°К

Тк = 100°К

ИК

 

6,2

2,8

А
Пульсированное течение сборника, тп ограничиваемый джмакс т ИКпульс 9,6 А
Поверните безопасное ≤ 1200ВКЭ рабочей зоны В, ≤ 150°К тдж   9,6 А
напряжение тока Ворот-излучателя ВГЭ ±20 В
Энергия лавины, одиночный ИМП ульс ик = 2А, вКК = 50В, рГЭ = 25Ω, начало на тдж = 25°К ЭКАК 10 мДж
Время1) в витхстанд короткого замыканияГЭ = 15В, 100ВКК ≤ 1200В ≤ в, ≤ 150°К тдж СК т 10 µс
Диссипация силы тк = 25°К Младенец п 62 В
Работая температура соединения и хранения Тдж, Цтг -55… +150 °К
Паяя температура, 1.6мм (0,063 внутри.) от случая для 10с   260 °К

 

 

 

 

Предложение запаса (горячее надувательство)

Номер детали. Количество Бренд Д/К Пакет
МКИМС535ДВВ1К 1066 ФРЭЭСКАЛЭ 14+ БГА
МКИМС6С7КВМ08АК 769 ФРЭЭСКАЛЭ 16+ БГА
МКП100Т-270И/ТТ 68000 МИКРОСХЕМА 15+ СОТ23-3
МКП100Т-315И/ТТ 57000 МИКРОСХЕМА 16+ СОТ23-5
МКП100Т-450И/ТТ 58000 МИКРОСХЕМА 10+ СОТ23-3
МКП120Т-315И/ТТ 24000 МИКРОСХЕМА 14+ СОТ-23
МКП1252-33С50И/МС 6935 МИКРОСХЕМА 16+ МСОП
МКП1525Т-И/ТТ 22350 МИКРОСХЕМА 14+ СОТ23-3
МКП1700Т-1802Э/МБ 11219 МИКРОСХЕМА 16+ СОТ-89
МКП1700Т-1802Э/ТТ 17041 МИКРОСХЕМА 06+ СОТ23-3
МКП1700Т-3302Э/МБ 14911 МИКРОСХЕМА 09+ СОТ-89
МКП1700Т-3302Э/ТТ 87000 МИКРОСХЕМА 12+ СОТ-23
МКП1700Т-5002Э/ТТ 6249 МИКРОСХЕМА 16+ СОТ-23
МКП1702Т-3302Э/МБ 8308 МИКРОСХЕМА 13+ СОТ-89
МКП1703Т-5002Э/ДБ 6320 МИКРОСХЕМА 13+ СОТ-223
МКП1825СТ-3302Э/ДБ 5514 МИКРОСХЕМА 16+ СОТ-223
МКП1826Т-3302Э/ДК 6845 МИКРОСХЕМА 15+ СОТ223-5
МКП2122-Э/СН 7708 МИКРОСХЕМА 13+ СОП-8
МКП23С17-Э/СО 8974 МИКРОСХЕМА 15+ СОП-28
МКП2551-И/СН 7779 МИКРОСХЕМА 16+ СОП-8
МКП2551Т-Э/СН 3957 МИКРОСХЕМА 16+ СОП-8
МКП3202-КИ/СН 5841 МИКРОСХЕМА 15+ СОП-8
МКП3202-КИ/СН 5770 МИКРОСХЕМА 15+ СОП-8
МКП3208-КИ/П 8740 МИКРОСХЕМА 15+ ПОГРУЖЕНИЕ
МКП3421АОТ-Э/КХ 12828 МИКРОСХЕМА 16+ СОТ23-6
МКП3422АО-Э/СН 3875 МИКРОСХЕМА 10+ СОП-8
МКП3424-Э/СЛ 8273 МИКРОСХЕМА 16+ СОП-14
МКП3551-Э/СН 7817 МИКРОСХЕМА 16+ СОП-8
МКП41050Т-И/СН 4450 МИКРОСХЕМА 11+ СОП-8
МКП41100-И/СН 3572 МИКРОСХЕМА 15+ СОП-8
МКП42010-И/П 12118 МИКРОСХЕМА 16+ ДИП-14
МКП4725АОТ-Э/КХ 6616 МИКРОСХЕМА 15+ СОТ23-5
МКП4728АОТ-Э/УН 4184 МИКРОСХЕМА 12+ МСОП

 

 

 

 

 

Запрос Корзина 0