Обломок интегральной схемаы ПИК16ЛФ877А-И/ПТ увеличил внезапные микроконтроллеры

ПИК16Ф87СА

28/40/44-Пин увеличило внезапные микроконтроллеры

Приборы включенные в этих технических спецификациях:

• ПИК16Ф873А            • ПИК16Ф874А

• ПИК16Ф876А            • ПИК16Ф877А

Высокопроизводительное К.П.У. РИСК:

• Только 35 инструкций отдельного слова выучить

• Все инструкции одно-цикла за исключением ветвей программы, которые 2-цикл

• Скорость обработки: ДК – 20 МХз входного сигнала часов

                               ДК – цикл инструкции 200 нс

• До 8К кс 14 слова внезапной памяти программы,

  До 368 кс 8 байт памяти данных (РАМ),

  До 256 кс 8 байт памяти данным по ЭЭПРОМ

• Пиноут совместимое к другим 28 штырю или 40/44-пин ПИК16КССС и микроконтроллерам ПИК16ФССС

Периферийные особенности:

• Тимер0: 8-разрядные таймер/встречный с 8-разрядным прескалер

• Тимер1: шестнадцатиразрядные таймер/встречное с прескалер, можно инкрементировать во время сна через внешние кристалл/часы

• Тимер2: 8-разрядные таймер/встречный с 8-разрядными регистром, прескалер и посцкалер периода

• Захват 2, сравнивает, модули ПВМ

  - Захват шестнадцатиразрядное, максимальное разрешение нс 12,5

  - Компаре шестнадцатиразрядное, максимальное разрешение 200 нс

  - Разрешение ПВМ максимальное бит 10

• Одновременный серийный порт (SSP) с СПИ™ (мастерским режимом) и И2К™ (мастером/рабом)

• Всеобщий одновременный асинхронный приемнопередатчик (УСАРТ/СКИ) с обнаружением адреса бита 9

• Параллельный невольничий порт (PSP)

  – 8 битов широко с внешними управлениями РД, ВР и КС (40/44-пин только)

• Сети обнаружения Брауна-вне для возврата (BOR) Брауна-вне

Сетноые-аналогов особенности:

• 10 бит, аналого-цифровой преобразователь до 8 каналов (А/Д)

• Возврат (BOR) Брауна-вне

• Сетноой-аналогов модуль компаратора с:

  - 2 сетноых-аналогов компаратора

  - Программабле модуль (VREF) ссылки напряжения тока на-обломока

  - Программабле входной сигнал передавая по мультиплексу от входных сигналов прибора и ссылки внутреннего напряжения

  - Выходы компаратора внешне доступны

Особенные особенности микроконтроллера:

• 100 000 стираний/пишет увеличенную циклом внезапную память программы типичную

• 1 000 000 стираний/пишет память данным по ЭЭПРОМ цикла типичную

• Удерживание данных ЭЭПРОМ > 40 лет

• Само-репрограммабле нижнее управление программного обеспечения

• В-цепь серийное Программинг™ (ИКСП™) через 2 штыря

• программирование В-цепи Одно-поставки 5В серийное

• Таймер сторожевого пса (ВДТ) со своим собственным генератором на-обломока РК для надежной деятельности

• Программабле предохранение от кода

• Режим сна энергосбережения

• Дискретные варианты генератора

• В-цепь отлаживает (ICD) через 2 штыря

Технология КМОС:

• Маломощная, высокоскоростная технология Флаш/ЭЭПРОМ

• Полностью статический дизайн

• Широкий ряд рабочего потенциала (2.0В к 5.5В)

• Коммерчески и промышленные диапазоны температур

• Маломощное потребление

Абсолютный максимум † оценок

Температура окружающей среды под смещением ........................................................................... - 55 к +125°К

Температура хранения ....................................................................................... -65°К к +150°К

Напряжение тока на любом штыре по отношению к в_СС (за исключением_ДД в, МКЛР. и РА4) ....... -0.3В к (в_ДД + 0.3В)

Напряжение тока на_ДД в по отношению к в_СС ....................................................................... -0,3 к +7.5В

Напряжение тока на МКЛР по отношению к в_СС (примечанию 2) ............................................................. 0 к +14В

Напряжение тока на РА4 по отношению к Всс .............................................................................. 0 к +8.5В

Диссипация полной силы (примечание 1) .......................................................................................... 1.0В

Максимальное течение из штыря в_СС ....................................................................................... 300 мам

Максимальное течение в штырь_ДД в .......................................................................................... 250 мам

Течение струбцины входного сигнала, И_ИК (В_Я< 0="" or="" V=""> _ДД И > в) ..................................................................... мамы ± 20

Течение струбцины выхода, мамы ± 20_ОК И< 0="" or="" V=""> (В_оДД о > в) .............................................................

Течение максимального выпуска продукции утонутое любым штырем И/О ........................................................................ 25 мам

Течение максимального выпуска продукции найденное любым штырем И/О .................................................................. 25 мам

Максимальное течение утонутое (совмещенными) ПОРТА, ПОРТБ и ПОРТЭ (примечание 3) .................... 200 мам

Максимальное течение найденное (совмещенными) ПОРТА, ПОРТБ и ПОРТЭ (примечание 3) ............... 200 мам

Максимальное течение утонутое (совмещенными) ПОРТК и ПОРТД (примечание 3) ................................. 200 мам

Максимальное течение найденное (совмещенными) ПОРТК и ПОРТД (примечание 3) ............................ 200 мам

Примечание

1: Диссипация силы высчитана следующим образом: _ДД кс Пдис = в {_ДД И - ∑ ИОХ} + ∑ {(_ДД в - в_ОХ) кс и_ОХ} + ∑ (в_Ол кс И_ОЛ)

2: Шипы напряжения тока под в_СС на штыре МКЛР, наводя мам течений большие чем 80, могут причинить захват. Таким образом, резистор серии 50-100Ω должен быть использован при приложении «низкого уровня» ровного к штырю МКЛР а не вытягивающ этот штырь сразу к в_СС.

3: ПОРТД и ПОРТЭ не снабжены на приборах ПИК16Ф873А/876А

ИЗВЕЩЕНИЕ О †: Стрессы над теми перечисленными под «абсолютным максимумом оценок» могут причинить постоянное повреждение к прибору. Это стресс классифицируя только и не подразумевается функциональная деятельность прибора на тех или всех других условий над теми показанными в перечислениях деятельности этой спецификации. Подвержение к максимальным условиям оценки на выдвинутые периоды может повлиять на надежность прибора.

Диаграммы Пин

Предложение запаса (горячее надувательство)