Транзистор двойной транзистор влияния поля н Мосфет силы НДС9952А & П-канала

НДС9952А

Двойной транзистор влияния поля режима повышения н & П-канала

Общее описание

Этот двойные транзисторы Н- и влияния поля силы режима повышения П-канала произведены используя Фэйрчайлда собственнический, высокую плотность клеток, технологию ДМОС. Этот очень хигх-денситы процесс особенно портняжничан для того чтобы уменьшить сопротивление на-государства, обеспечить главное представление переключения, и выдержать ИМПы ульс высокой энергии в режимах лавины и коммутирования. Эти приборы особенно одеты для применений низшего напряжения как управление силы ноутбука и другие цепи батареи использующие энергию где быстрое переключение, низкие встроенные потери электропитания, и сопротивление к переходным процессам необходимы.

Особенности

• Н-канал 3.7А, 30В, Р_{ДС(ДАЛЬШЕ)} =0.08В @ В_ГС =10В.
• П-канал -2.9А, -30В, Р_{ДС(ДАЛЬШЕ)} =0.13В @ В_ГС =-10В.
• Хигх-денситы дизайн клетки или весьма - низкий р_{ДС(ДАЛЬШЕ)}.
• Наивысшая мощность и настоящая регулируя возможность в широко используемом поверхностном пакете держателя.
• Удваивает (н & П-канал) МОСФЭТ в поверхностном пакете держателя.

Абсолютный максимум оценок Т_а = 25°К если не указано иное

Примечания: 1. р_θДжА сумма соединени-к-случая и случа-к-окружающего термального сопротивления где определена ссылка случая термальная по мере того как поверхность установки припоя штырей стока. Р_θДжК гарантирован дизайн пока_θКА р определено дизайном доски потребителя.

Типичный р_θДжА для одиночной деятельности прибора используя планы доски показанные ниже на 4,5"» ПКБ ФР-4 кс5 в неподвижной окружающей среде воздуха:

a. 78℃/В устанавливанный на 0,5 в пусковой площадке² кппер 2оз.

b. 125℃/В устанавливанный на 0,02 в пусковой площадке² кппер 2оз.

c. 135℃/В устанавливанный на 0,003 в пусковой площадке² кппер 2оз.

Масштаб 1: 1 на бумаге размера письма

Предложение запаса (горячее надувательство)