Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Сайт Участник
10 лет
Главная / продукты / Power Mosfet Transistor /

МОСФЭТ ПоверТренч логики канала н транзистора Мосфет силы ФДС6990А двойной

контакт
Anterwell Technology Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissSharon Yang
контакт

МОСФЭТ ПоверТренч логики канала н транзистора Мосфет силы ФДС6990А двойной

Спросите последнюю цену
Номер модели :FDS6990A
Место происхождения :Первоначально фабрика
Количество минимального заказа :10pcs
Термины компенсации :T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы :7000PCS
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :пожалуйста свяжитесь я для деталей
напряжение тока Сток-источника :30 v
Напряжение тока Строб-Источника :± 20 в
Работая температура соединения :– °C 55 до +150
Температура хранения :– °C 55 до +150
Термальное сопротивление, Соединени-к-окружающее :78 °К/В
Термальное сопротивление, Соединени-к-случай :40 °К/В
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

МОСФЭТ ПоверТренч логики канала н транзистора Мосфет силы ФДС6990А двойной

 

Общее описание

Эти МОСФЭЦ уровня логики Н-канала произведены используя процесс ПоверТренч полупроводника Фэйрчайлда выдвинутый который особенно был портняжничан для того чтобы уменьшить сопротивление на-государства а также поддерживать главное представление переключения.

 

Эти приборы хорошо подойдут для низшего напряжения и применений батареи использующих энергию где необходимы низкие встроенные потери электропитания и быстрое переключение.

 

Особенности

· 7,5 а, 30 В. РДС(ДАЛЬШЕ) = 18 мВ @ вГС = 10 в

                        РДС(ДАЛЬШЕ) = 23 мВ @ вГС = 4,5 в

· Быстрая скорость переключения

· Низкая обязанность ворот

· Технология канавы высокой эффективности для весьма - низкого рДС(ДАЛЬШЕ)

· Наивысшая мощность и настоящая регулируя возможность

 

Абсолютный максимум оценок Та =25℃ если не указано иное

Символ Параметр Оценки Блоки
ВДСС Напряжение тока Сток-источника 30 В
ВГСС Напряжение тока Ворот-источника ± 20 В
ИД

Течение стока – непрерывное (примечание 1а)

– Пульсированный

7,5 А
20
ПД

Диссипация силы для единственной операции (примечания 1а)

                                                               (Примечание 1Б)

                                                               (Примечание 1к)

1,6 В
1,0
0,9
ТДж, ТСТГ Оператинг и диапазон температур соединения хранения – 55 до +150

 

МОСФЭТ ПоверТренч логики канала н транзистора Мосфет силы ФДС6990А двойной

 

МОСФЭТ ПоверТренч логики канала н транзистора Мосфет силы ФДС6990А двойной

 

 

 

 

Предложение запаса (горячее надувательство)

Номер детали. Количество Бренд Д/К Пакет

 

Г5В-1-ДК9 6255 ОМРОН 15+ ПОГРУЖЕНИЕ
Г5В-2-12ВДК 7727 ОМРОН 14+ ПОГРУЖЕНИЕ
Г60Н100БНТД 3498 ФЭЙРЧАЙЛД 13+ ТО-264
Г65СК51П-2 6939 КМД 16+ ДИП-28
Г6К-2Ф-И-5ВДК 10509 ОМРОН 13+ СОП-8
ГАЛ16В8Д-25ЛП 5311 РЕШЕТКА 16+ ДИП-20
ГБЛ08-Э3/51 13704 ВИСХАИ 14+ ДИП-4
ГБПК3508В-Э4/51 8669 ВИСХАИ 16+ ДИП-4
ГБУ408 90000 СЕНТЯБРЬ 13+ ЗИП-4
ГБУ6К 14556 ЛРК 13+ СИП-4
ГБУ8М 17593 ВИСХАИ 15+ ДИП-4
ГЭ865-КУАД 1285 ТЭЛИТ 14+ ГПРС
ГИПС20К60 2254 СТ 13+ МОДУЛЬ
ГЛ34А 4000 ДИОТЭК 13+ ДО-213АА
ГЛ41Д 20000 ГС 13+ ЛЛ41
ГЛ852Г-МНГ12 7574 ГЭНЭСИС 15+ ЛКФП-48
ГЛ865 УДВАИВАЮТ 1174 ТЭЛИТ 10+ ГПРС
ГЛЛ4760-Э3/97 24000 ВИСХАИ 10+ НА
ГП1С094ХКЗ0Ф 5752 ОСТРЫЙ 13+ ДИП-4
ГС2978-КНЭ3 2125 ГЭННУМ 15+ КФН16
ГС2984-ИНЭ3 1336 ГЭННУМ 13+ КФН
ГС2988-ИНЭ3 6693 ГЭННУМ 16+ КФН16
ГС3137-08-ТАЗ 2008 КОНЭСАНТ 09+ ТССОП
ГСИБ2580-Э3/45 4938 ВИСХАИ 16+ ГСИБ-5С
ГСОТ03К-ГС08 7000 ВИСХАИ 15+ СОТ-23
ГВА-63+ 8824 МИНИ 15+ СОТ-23
ГВА-84+ 4397 МИНИ 14+ СОТ-89
Х11АА1СР2М 14966 ФЭЙРЧАЙЛД 14+ СОП-6
Х11АА4 15037 ФЭЙРЧАЙЛД 14+ ПОГРУЖЕНИЕ
Х11АГ1СР2М 4006 ФЭЙРЧАЙЛД 14+ СОП-6

 

 

 

Запрос Корзина 0