Главная / продукты / 3 Pin Transistor /

Транзистор кремния НПН транзистора Пин 2СК4883А 3 эпитаксиальный плоскостный, транзистор смд ньпн

Категории продукта

обломок интегральной схемаы

programmable обломоки ic

Печатная плата чипов

Диод выпрямителя тока

Транзистор Mosfet силы

3 Pin Транзистор

RJ45 локальные сети Jack

Датчик давления IC

Модуль питания Mosfet

SMD феррит

smd вело диод

SMD резисторы

Электронные IC чипы

компоненты электроники

контакт

Anterwell Technology Ltd.

Город:shenzhen

Область/Штат:guangdong

Страна/регион:china

Контактное лицо:MissSharon Yang

контактная информация

контакт

China Транзистор кремния НПН транзистора Пин 2СК4883А 3 эпитаксиальный плоскостный, транзистор смд ньпн wholesale

China Транзистор кремния НПН транзистора Пин 2СК4883А 3 эпитаксиальный плоскостный, транзистор смд ньпн wholesale

Транзистор кремния НПН транзистора Пин 2СК4883А 3 эпитаксиальный плоскостный, транзистор смд ньпн

Спросите последнюю цену

Номер модели :2SC4883A

Место происхождения :Первоначально фабрика

Количество минимального заказа :20шт

Термины компенсации :T / T, Western Union, Paypal

Способность поставкы :8500PCS

Срок поставки :1 день

Упаковывая детали :пожалуйста свяжитесь я для деталей

Напряжение тока коллектора- база :180 в

Напряжение тока коллектор- эмиттера :180 в

напряжение тока Излучател-основания :6 v

Течение сборника :2 a

Ток базы :1 a

Температура соединения :℃ 150

more

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Транзисторы силы 2СК4883 кремния НПН 2СК4883А

ОПИСАНИЕ

·С пакетом ТО-220Ф

·Комплект для того чтобы напечатать 2СА1859/1859А

ПРИМЕНЕНИЯ

·Для применений водителя аудио выхода и модуляции скорости ТВ

Абсолютный максимум оценок (Та=25℃)

СИМВОЛ	ПАРАМЕТР		УСЛОВИЯ	ЗНАЧЕНИЕ	БЛОК
В_КБО	Напряжение тока коллектора- база	2СК4883	Раскройте излучатель	150	В
В_КБО	Напряжение тока коллектора- база	2СК4883А	Раскройте излучатель	180	В
В_{ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР}	Напряжение тока коллектор- эмиттера	2СК4883	Раскройте основание	150	В
В_{ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР}	Напряжение тока коллектор- эмиттера	2СК4883А	Раскройте основание	180	В
В_ЭБО	напряжение тока Излучател-основания		Раскройте сборник	6	В
И_К	Течение сборника			2	А
И_Б	Ток базы			1	А
П_К	Диссипация сборника		ТК=25℃	20	В
Тдж	Температура соединения			150	℃
Цтг	Температура хранения			-55~150	℃

ПРИКАЛЫВАНИЕ

ПИН	ОПИСАНИЕ
1	Основание
2	Сборник
3	Излучатель

ПЛАН ПАКЕТА

Предложение запаса (горячее надувательство)

Номер детали.

Количество

Бренд

Д/К

Пакет

УК3843БНГ	9518	НА	16+	ДИП-8
УК3845БНГ	9680	НА	16+	ДИП-8
ТДА1543А	35164	ПХИ	16+	ДИП-8
ТНИ176ПН	6348	СИЛА	14+	ДИП-8
ТНИ255ПН	8468	СИЛА	15+	ДИП-8
ТНИ264ПН	25304	СИЛА	15+	ДИП-8
ТНИ280ПН	26592	СИЛА	15+	ДИП-8
ТОП210ПФИ	17352	СИЛА	10+	ДИП-8
ТОП222ПН	23568	СИЛА	13+	ДИП-8
ТОП224ПН	15470	СИЛА	15+	ДИП-8
ТОП246ПН	9776	СИЛА	13+	ДИП-8
ТОП252ПН	15280	СИЛА	16+	ДИП-8
ТОП258ПН	8052	СИЛА	16+	ДИП-8
РТ0302П	8322	РАТО	15+	ДИП-8
ПС2501-2-А	16286	РЭНЭСАС	11+	ДИП-8
Р7731ГН	9756	РИКХПОВЭР	12+	ДИП-8
РМ6203	14720	РМ	15+	ДИП-8
РН1133ГКВ	17140	РМ	10+	ДИП-8
СК6200	9244	САНКЭН	16+	ДИП-8
СВ2604	16016	САНВИН	16+	ДИП-8
ТТ3034	2786	САНИО	16+	ДИП-8
СП485КС	16070	СИПЭС	13+	ДИП-8
СП485ЭС	14738	СИПЭС	16+	ДИП-8
СИЭ20034	518	СТ	13+	ДИП-8
СТ485КН	11072	СТ	16+	ДИП-8
ТБА221Б	10688	СТ	16+	ДИП-8
ТБА820М	8080	СТ	10+	ДИП-8
ТДА2822М	4492	СТ	16+	ДИП-8
ТДА8145	10874	СТ	16+	ДИП-8
ТДЖМ4558КН	12866	СТ	16+	ДИП-8

Метки товара:

npn epitaxial silicon transistor

mosfet irf3205

sot223 mosfet

Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4