Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Сайт Участник
10 лет
Главная / продукты / Power Mosfet Transistor /

Транзистор транзистора НПН/НПН низкий ВКЭсат Мосфет силы ПБСС4112ПАН (БИСС)

контакт
Anterwell Technology Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissSharon Yang
контакт

Транзистор транзистора НПН/НПН низкий ВКЭсат Мосфет силы ПБСС4112ПАН (БИСС)

Спросите последнюю цену
Номер модели :ПБСС4112ПАН
Место происхождения :Первоначально фабрика
Количество минимального заказа :20шт
Термины компенсации :T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы :7900пкс
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :пожалуйста свяжитесь я для деталей
Напряжение тока коллектора- база :120 v
Напряжение тока коллектор- эмиттера :120 v
напряжение тока Излучател-основания :7 v
Течение сборника :1 a
пиковое течение сборника :1,5 A
Ток базы :0,3 а
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

 

ПБСС4112ПАН

120 в, 1 транзистор а НПН/НПН низкий ВКЭсат (БИСС)

 

Общее описание

Прорыв НПН/НПН низкий вКЭсат в небольшом транзисторе (BISS) сигнала в леадлесс средней силе ДФН2020-6 (СОТ1118) Поверхност-установил пакет пластмассы (SMD) прибора. Комплект НПН/ПНП: ПБСС4112ПАНП. Комплект ПНП/ПНП: ПБСС5112ПАП.

 

Особенности и преимущества

• Очень низкое напряжение тока сатурации в коллектор- эмиттераКЭсат

• Высокая возможность ик течения сборника иСМ И

• ВысокийФЭ х настоящего увеличения сборника на максимуме ик

• Уменьшенные требования к (PCB) платы с печатным монтажом

• Эффективность высокой энергии должная к меньше тепловыделения

• Квалифицированное АЭК-К101

 

Применения

• Переключатель нагрузки

• управляемые Батаре приборы

• Управление силы

• Зарядные схемы

• Переключатели мощности (например моторы, вентиляторы)

 

Ограничивающие величины

В соответствии с абсолютным максимумом системы рейтинга (ИЭК 60134).

Символ Параметр Условия   Минута Макс Блок
  В транзистор
ВКБО напряжение тока коллектора- база раскройте излучатель   - 120 В
ВГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР напряжение тока коллектор- эмиттера раскройте основание   - 120 В
ВЭБО напряжение тока излучател-основания раскройте сборник   - 7 В
ИК течение сборника     - 1 А
ИСМ пиковое течение сборника одиночный ИМП ульс; госпожа ≤ 1 тп   - 1,5 А
ИБ ток базы     - 0,3 А
ИБМ пиковый ток базы одиночный ИМП ульс; госпожа ≤ 1 тп   - 1 А
Младенец п диссипация полной силы °К ≤ 25 Тамб

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]

[8]

-

-

-

-

-

-

-

-

370

570

530

700

450

760

700

1450

мВ

мВ

мВ

мВ

мВ

мВ

мВ

мВ

  В прибор
Младенец п диссипация полной силы °К ≤ 25 Тамб

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]

[8]

-

-

-

-

-

-

-

-

510

780

730

960

620

1040

960

2000

мВ

мВ

мВ

мВ

мВ

мВ

мВ

мВ

Тдж температура соединения     - 150 °К
Тамб температура окружающей среды     -55 150 °К
Цтг температура хранения     -65 150 °К

[1] прибор установленный на ПКБ ФР4, который одно-встали на сторону следах ноги линии прокладки 35 µм медных, полуженных и стандартных.

прибор установленный на ПКБ ФР4, который одно-встали на сторону полуженная линия [2] прокладки 35 µм медная, пусковая площадка установки на сборник 1 км2.

прибор [3] установленный на 4 следе ноги линии прокладки µм ПКБ 35 слоя медном, полуженного и стандартного.

прибор [4] установленный на 4 полуженной линии прокладки µм ПКБ 35 слоя медной, пусковой площадке установки на сборник 1 км2.

прибор [5] установленный на ПКБ ФР4, который одно-встали на сторону следах ноги линии прокладки 70 µм медных, полуженных и стандартных.

прибор установленный на ПКБ ФР4, который одно-встали на сторону полуженная линия [6] прокладки 70 µм медная, пусковая площадка установки на сборник 1 км2.

прибор [7] установленный на 4 следе ноги линии прокладки µм ПКБ 70 слоя медном, полуженного и стандартного.

прибор [8] установленный на 4 полуженной линии прокладки µм ПКБ 70 слоя медной, пусковой площадке установки на сборник 1 км2.

 

 

Предложение запаса (горячее надувательство)

Номер детали. Количество Бренд Д/К Пакет

 

СГМ8922АИС8 5140 СГМ 10+ СОП-8
СГМ9119ИС8 17690 СГМИКРО 16+ СОП-8
СЛГ505ИК256КТ 2330 СИЛЭГО 14+ СОП-8
СИ4416ДИ-Т1-Э3 17708 СИЛИКОНИС 05+ СОП-8
СП3072ЭЭН-Л/ТР 38004 СИПЭС 13+ СОП-8
СП485РКН-Л 14724 СИПЭС 13+ СОП-8
СП485РЭН-Л 46500 СИПЭС 16+ СОП-8
СП708СЭН 8240 СИПЭС 16+ СОП-8
СМ7523Б 47500 СМ 16+ СОП-8
С25ФЛ040А0ЛВФИ003Р 38856 СПАНСИОН 16+ СОП-8
С25ФЛ164К0СМФИ011 29532 СПАНСИОН 15+ СОП-8
ССТ25ЛФ020А-33-4К-САЭ 39140 ССТ 12+ СОП-8
ССТ25ВФ016Б-50-4К-С2АФ 7084 ССТ 14+ СОП-8
ССТ25ВФ016Б-50-4И-С2АФ 12564 ССТ 14+ СОП-8
ССТ25ВФ020-20-4И-САЭ 8532 ССТ 11+ СОП-8
ССТ25ВФ032Б-80-4И-С2АФ 10142 ССТ 16+ СОП-8
ССТ25ВФ080Б-50-4К-С2АФ 19348 ССТ 10+ СОП-8
ССТ25ВФ080Б-80-4И-С2АФ 12578 ССТ 16+ СОП-8
ССРП130Б1 39992 СТ 13+ СОП-8
СТ1С10ПХР 5256 СТ 16+ СОП-8
СТ3485ЭБДР 14900 СТ 10+ СОП-8
СТ485ЭБДР 31000 СТ 16+ СОП-8
СТ922И 40276 СТ 16+ СОП-8
СТМ704СМ6Ф 6004 СТ 16+ СОП-8
СТС8ДНФ3ЛЛ 14592 СТ 04+ СОП-8
СТС8ДНХ3ЛЛ 17320 СТ 10+ СОП-8
ТДА2822Д013ТР 17298 СТ 09+ СОП-8
ТДЖМ4558КДТ 111000 СТ 16+ СОП-8
ТЛ061КДР 15170 СТ 16+ СОП-8
ТЛ072КДР 17186 СТ 16+ СОП-8

 

 

 

 

Запрос Корзина 0