Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Сайт Участник
10 лет
Главная / продукты / Power Mosfet Transistor /

МОСФЭТ Н-канала мосфет ик силы транзистора Мосфет силы ФКП30Н06

контакт
Anterwell Technology Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissSharon Yang
контакт

МОСФЭТ Н-канала мосфет ик силы транзистора Мосфет силы ФКП30Н06

Спросите последнюю цену
Номер модели :FQP30N06
Место происхождения :Первоначально фабрика
Количество минимального заказа :20шт
Термины компенсации :T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы :6900пкс
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :пожалуйста свяжитесь я для деталей
напряжение тока Сток-источника :60 v
Напряжение тока Строб-Источника :± 25 в
Определите пульсированную энергию лавины :280 мДж
Течение лавины :30 a
Повторяющийся энергия лавины :7,9 мДж
Оператинг и температура хранения :°К -55 до +175
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

 

Предложение запаса (горячее надувательство)

Номер детали. Количество Бренд Д/К Пакет
МКИМС535ДВВ1К 1066 ФРЭЭСКАЛЭ 14+ БГА
МКИМС6С7КВМ08АК 769 ФРЭЭСКАЛЭ 16+ БГА
МКП100Т-270И/ТТ 68000 МИКРОСХЕМА 15+ СОТ23-3
МКП100Т-315И/ТТ 57000 МИКРОСХЕМА 16+ СОТ23-5
МКП100Т-450И/ТТ 58000 МИКРОСХЕМА 10+ СОТ23-3
МКП120Т-315И/ТТ 24000 МИКРОСХЕМА 14+ СОТ-23
МКП1252-33С50И/МС 6935 МИКРОСХЕМА 16+ МСОП
МКП1525Т-И/ТТ 22350 МИКРОСХЕМА 14+ СОТ23-3
МКП1700Т-1802Э/МБ 11219 МИКРОСХЕМА 16+ СОТ-89
МКП1700Т-1802Э/ТТ 17041 МИКРОСХЕМА 06+ СОТ23-3
МКП1700Т-3302Э/МБ 14911 МИКРОСХЕМА 09+ СОТ-89
МКП1700Т-3302Э/ТТ 87000 МИКРОСХЕМА 12+ СОТ-23
МКП1700Т-5002Э/ТТ 6249 МИКРОСХЕМА 16+ СОТ-23
МКП1702Т-3302Э/МБ 8308 МИКРОСХЕМА 13+ СОТ-89
МКП1703Т-5002Э/ДБ 6320 МИКРОСХЕМА 13+ СОТ-223
МКП1825СТ-3302Э/ДБ 5514 МИКРОСХЕМА 16+ СОТ-223
МКП1826Т-3302Э/ДК 6845 МИКРОСХЕМА 15+ СОТ223-5
МКП2122-Э/СН 7708 МИКРОСХЕМА 13+ СОП-8
МКП23С17-Э/СО 8974 МИКРОСХЕМА 15+ СОП-28
МКП2551-И/СН 7779 МИКРОСХЕМА 16+ СОП-8
МКП2551Т-Э/СН 3957 МИКРОСХЕМА 16+ СОП-8
МКП3202-КИ/СН 5841 МИКРОСХЕМА 15+ СОП-8
МКП3202-КИ/СН 5770 МИКРОСХЕМА 15+ СОП-8
МКП3208-КИ/П 8740 МИКРОСХЕМА 15+ ПОГРУЖЕНИЕ
МКП3421АОТ-Э/КХ 12828 МИКРОСХЕМА 16+ СОТ23-6
МКП3422АО-Э/СН 3875 МИКРОСХЕМА 10+ СОП-8
МКП3424-Э/СЛ 8273 МИКРОСХЕМА 16+ СОП-14
МКП3551-Э/СН 7817 МИКРОСХЕМА 16+ СОП-8
МКП41050Т-И/СН 4450 МИКРОСХЕМА 11+ СОП-8
МКП41100-И/СН 3572 МИКРОСХЕМА 15+ СОП-8

 

 

ФКП30Н06

МОСФЭТ Н-канала 60В

 

Общее описание

Эти транзисторы влияния поля силы режима повышения Н-канала произведены используя Фэйрчайлда собственнический, плоскостную нашивку, технологию ДМОС.

 

Эта передовая технология особенно была портняжничана для того чтобы уменьшить сопротивление на-государства, обеспечить главное представление переключения, и выдержать ИМП ульс высокой энергии в режиме лавины и коммутирования. Эти приборы хорошо подойдут для применений низшего напряжения как конвертеры автомобильных, ДК/ДК, и переключение высокой эффективности для управления силы в портативной машинке и эксплуатируемых батареей продуктах.

 

Особенности

• 30А, 60В, рДС (дальше) = @В 0.04ΩГС = 10 в

• Низкая обязанность ворот (типичные 19 нК)

• Низкое Крсс (типичные 40 пФ)

• Быстрое переключение

• испытанная лавина 100%

• Улучшенная возможность дв/дт

• максимальная оценка температуры соединения 175°К

 

Абсолютный максимум оценок тк = 25°К если не указано иное

Символ Параметр ФКП30Н06 Блоки
ВДСС Напряжение тока Сток-источника 60 В
ИД

Течение стока - непрерывное (тк = 25°К)

                    - Непрерывный (тк = 100°К)

30 А
21,3 А
ИДМ Пульсированное течение стока - (примечание 1) 120 А
ВГСС Напряжение тока Ворот-источника ± 25 В
ЭКАК Определите пульсированную энергию лавины (примечание 2) 280 мДж
ИАР Течение лавины (примечание 1) 30 А
ЭАР Повторяющийся энергия лавины (примечание 1) 7,9 мДж
дв/дт Пиковое спасение дв/дт диода (примечание 3) 7,0 В/нс
ПД

Диссипация силы (тк = 25°К)

                       - Дерате над 25°К

79 В
0,53 В/°К
ТДж, ТСТГ Оператинг и диапазон температур хранения -55 до +175 °К
ТЛ Максимальная температура для паяя целей, 1/8" руководства от случая на 5 секунд 300 °К

 

МОСФЭТ Н-канала мосфет ик силы транзистора Мосфет силы ФКП30Н06

 

 

 

Запрос Корзина 0