Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Сайт Участник
9 лет
Главная / продукты / Mosfet Power Module /

РАМ СмартВатч модуля силы модуля силы ИГБТ Мосфет ДС1216 & РОМ

контакт
Anterwell Technology Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissSharon Yang
контакт

РАМ СмартВатч модуля силы модуля силы ИГБТ Мосфет ДС1216 & РОМ

Спросите последнюю цену
Номер модели :DS1216
Место происхождения :Первоначально фабрика
Количество минимального заказа :5 шт
Термины компенсации :T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы :6100пкс
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :пожалуйста свяжитесь я для деталей
ВКК поставка :5 mA
Входная утечка :µА -1,0 до +1,0
Напряжение тока Писать-защиты :4,25 до 4,5 в
входная емкость :5 пФ
Емкость выхода :7 пФ
Температура хранения :-40°C к +85°C
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

 

Предложение запаса (горячее надувательство)

Номер детали. Количество Бренд Д/К Пакет
ЛМ211П 13049 ТИ 11+ ТССОП-8
ЛМ224ДР 67000 ТИ 16+ СОП-14
ЛМ22676МРЭ-5.0 8568 ТИ 15+ СОП-8
ЛМ22676МРС-5.0 8639 ТИ 15+ ПСОП8
ЛМ22676МРС-АДДЖ 1691 ТИ 16+ СОП-8
ЛМ22676ТДЖЭ-АДДЖ 6794 ТИ 13+ ТО-263
ЛМ22777ТДЖ-АДДЖ 5048 НС 16+ ТО-263
ЛМ239АПТ 4458 СТ 13+ ТССОП-14
ЛМ25011МИ/НОПБ 3243 ТИ 16+ МСОП-10
ЛМ25037МТС 4474 ТИ 09+ ТССОП-16
ЛМ25119ПСК/НОПБ 1820 ТИ 15+ ВКФН-32
ЛМ25575МХС 3711 ТИ 12+ ТССОП-16
ЛМ25576МХС 5141 ТИ 14+ ТССОП-20
ЛМ2575Д2Т-3.3Р4Г 18153 НА 11+ ТО-263
ЛМ2575ХВТ-5.0 13120 НС 15+ ТО-220
ЛМ2575СС-5.0 22261 НС 16+ ТО-263
ЛМ2576-5.0ВУ 4267 МИКРЭЛ 14+ ТО-263
ЛМ2576Д2ТР4-5Г 5273 НА 14+ ТО-263
ЛМ2576ХВСС-АДДЖ 6468 ТИ 15+ ТО-263
ЛМ2576ХВТ-АДДЖ 21640 НС 16+ ТО-220
ЛМ2576СС-1.2 18871 НСК 13+ ТО263-5
ЛМ2577Т-АДДЖ 4542 НС 12+ ТО-220-5
ЛМ2586СС-АДДЖ 2498 НС 07+ ТО-263-7
ЛМ2588Т-5.0 3655 ТИ 15+ ТО-220-7
ЛМ258ДР 69000 ТИ 16+ СОП-8
ЛМ258ДТ 70000 СТ 13+ СОП-8
ЛМ2594ХВМ-5.0 3314 НС 13+ СОП-8
ЛМ2596ХВТ-АДДЖ 21711 НС 14+ ТО-220
ЛМ2622ММ-АДДЖ 2888 НСК 08+ МСОП-8
ЛМ2651МТКС-АДДЖ 8710 НС 04+ ТССОП

 

 

ДС1216

РАМ СмартВатч (ДС1216Б/К/Д/Х);

РОМ СмартВатч (ДС1216Э/Ф)

 

ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ

Гнезда РАМ ДС1216 СмартВатч и РОМ СмартВатч 600 мил шириной с гнезд ПОГРУЖЕНИЯ с функцией дозора КМОС разъема, цепью регулятора РАМ НВ, и врезанным источником энергии лития. Гнезда снабжают решение РАМ НВ для памяти с определенными размерами от 2К кс 8 к 512К кс 8 с размерами пакета от 26 штырей 32 штыря.

 

Когда гнездо сопрягается с КМОС СРАМ, оно снабжает полное решение проблемы связанные с неустойчивостью памяти и использует общий источник энергии для поддержания времени и даты. Гнезда РОМ СмартВатч используют врезанный источник лития для поддержания времени и даты только.

 

Главная особенность СмартВатч что функция дозора остается прозрачной к РАМ. СмартВатч контролирует ВКК для условия вне--допуска. Когда такое условие происходит, внутренний источник энергии лития автоматически включен и пишет защиту безусловно позволен предотвратить потерю дозора и данных по РАМ.

 

ОСОБЕННОСТИ

  • Держит след сот секунд, секунд, минут, часов, дней, даты месяца, месяцев, и лет
  • Новообращенные стандартное 2К кс 8 до 512К кс 8 штосселей КМОС статических в энергонезависимую память
  • Врезанная клетка энергии лития водит данные по дозора и сохраняет данные по РАМ
  • Функция дозора прозрачна к деятельности РАМ

 

  • Автоматическая компенсация действительные до 2100 високосного года
  • Источник энергии лития электрически отключен для того чтобы сохранить свежесть до тех пор пока сила не приложена в первый раз
  • Доказанные газонепроницаемые контакты гнезда
  • Вполне рабочий диапазон ±10%
  • Точность лучшая чем минута ±1/месяц на +25°К

АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК

Ряд напряжения тока на любом Пин по отношению к земле .................................................... - 0.3В к +6.0В

Температурная амплитуда рабочей температуры .......................................................................... 0°К к +70°К

Диапазон температур .......................................................................... - 40°К хранения к +85°К

Приведите температуру (паять, 10с) ..................................................................................... +260°К

     

 Примечание: Волна или рук-припой только.

Это стресс классифицируя только и не подразумевается функциональная деятельность прибора на этих или всех других условий за теми показанными в разделах деятельности этой спецификации. Подвержение к абсолютному максимуму условий оценки на выдвинутые периоды времени может повлиять на надежность.

 

ТИПИЧНАЯ РАБОТАЯ ЦЕПЬ

РАМ СмартВатч модуля силы модуля силы ИГБТ Мосфет ДС1216 & РОМ

 

КОНФИГУРАЦИИ ПИНРАМ СмартВатч модуля силы модуля силы ИГБТ Мосфет ДС1216 & РОМ

 

 

 

Запрос Корзина 0