Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Сайт Участник
10 лет
Главная / продукты / 3 Pin Transistor /

Транзистор кремния ФЭТ НПН МОС канала н транзистора Пин 2СК2996 3

контакт
Anterwell Technology Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissSharon Yang
контакт

Транзистор кремния ФЭТ НПН МОС канала н транзистора Пин 2СК2996 3

Спросите последнюю цену
Номер модели :2SK2996
Место происхождения :Первоначально фабрика
Количество минимального заказа :20шт
Термины компенсации :T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы :7900пкс
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :пожалуйста свяжитесь я для деталей
Течение утечки ворот :μА ±10
Пробивное напряжение Гате−соурсе :±30 в
Стеките течение кут−офф :μА 100
Пробивное напряжение Драйн−соурсе :600 v
Напряжение тока порога ворот :2,0 до 4,0 в
Драйн−соурсе НА сопротивлении :0,74 Ω
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

 

Предложение запаса (горячее надувательство)

Номер детали. Количество Бренд Д/К Пакет
Л6599Д 6828 СТ 13+ СОП-16
Л7805АБП 12978 СТ 11+ ТО-220Ф
Л7812КВ 60000 СТМ 14+ ТО-220
Л78Л33АКУТР 38000 СТ 15+ СОТ-89
Л78М05КДТ 98000 СТ 16+ ТО-252
Л78М08АБДТ-ТР 14698 СТ 16+ СОТ-252
Л78М12КДТ 101000 СТ 13+ ТО-252
Л78С05КВ 11629 СТ 16+ ТО-220
Л78С12КВ 4245 СТ 16+ ТО-220
Л7985АТР 13028 СТМ 15+ ХСОП-8
Л9407Ф 3184 СТ 15+ ЗАСТЕЖКА-МОЛНИЯ
Л9637Д013ТР 1520 СТ 15+ СОП
Л9826ТР 3101 СТ 12+ СОП-20
ЛА4440 3580 САНИО 13+ ЗИП-14
ЛА78040 15692 САНИО 14+ ТО-220
ЛА78041 14769 САНИО 15+ ТО-220
ЛА78045 16047 САНИО 13+ ТО-220-7
ЛАН83К185-ДЖТ 2746 СМСК 16+ КФП64
ЛАН8710А-ЭЗК-ТР 5987 СМСК 13+ КФН32
ЛАН8710АИ-ЭЗК-ТР 15547 СМСК 14+ КФН
ЛАН8720А-КП-ТР 4876 МИКРОСХЕМА 16+ КФН24
ЛАН9115-МТ 7959 МИКРОСХЕМА 09+ КФП
ЛКДА05.ТБТ 7787 СЭМТЭКХ 11+ СОП-8
ЛКМСО640К-3ТН100К 4897 РЕШЕТКА 12+ ТКФП100
ЛКМЗО640К-4ТН100К 1113 РЕШЕТКА 16+ КФП100
ЛКП02-150Б1РЛ 6643 СТ 16+ СОП-8
ЛД1086Д2М33ТР 4316 СТ 14+ ТО-263
ЛД1086В33 6714 СТ 08+ ТО-220
ЛД1117АДТ18ТР 51000 СТ 15+ ТО-252
ЛД1117С18ТР 101000 СТ 11+ СОТ-223

 

 

Тип МОС канала н кремния транзистора влияния поля ТОШИБА

(π−МОСВ) 2СК2996

 

Применения конвертера ДК−ДК, привода реле и привода мотора

 

Низкое драйн−соурсе НА сопротивлении: РДС(ДАЛЬШЕ) = 0,74 Ω (тип.)

Высокий передний вход передачи: |Ифс| = 6,8 с (тип.)

Низкое течение утечки: ИДСС = μА 100 (максимальное) (вДС = 600 в)

Режим повышения: Тх в = 2.0~4.0 в (вДС = 10 в, Ид = мамы 1)

 

Абсолютный максимум оценок (животиков = 25°К)

Характеристики Символ Классифицировать Блок
Напряжение тока Драйн−соурсе ВДСС 600 В
Напряжение тока Драйн−гате (рГС = кΩ 20) ВДГР 600 В
Напряжение тока Гате−соурсе ВГСС ±30 В
Стеките течение ДК (примечание 1) ИД 10 А
ИМП ульс (примечание 1) ИДП 30
Стеките диссипацию силы (Тк = 25°К) ПД 45 В
Одиночная энергия лавины ИМПа ульс (примечание 2) ЭКАК 252 мДж
Течение лавины ИАР 10 А
Повторяющийся энергия лавины (примечание 3) ЭАР 4,5 мДж
Температура канала Тч 150 °К
Диапазон температур хранения Цтг −55~150 °К

 

Примечание: Использование непрерывное под тяжелыми грузами (например применением высокой температуры/течения/напряжения тока и значительного изменения в температуре, етк.) может причинить этот продукт уменьшить в надежности значительно даже если эксплуатационные режимы (т.е. рабочая температура/течение/напряжение тока, етк.) в пределах абсолютного максимума оценок. Пожалуйста конструируйте соотвествующую надежность по рассмотрение руководства надежности полупроводника Тошиба («регулирующ концепция и методы/Дератинг меры предосторожности») и индивидуальных данных по надежности (т.е. отчет по испытанию надежности и оцененные интенсивность отказов, етк).

 

Транзистор кремния ФЭТ НПН МОС канала н транзистора Пин 2СК2996 3

   Вес: 1,9 г (тип.)

 

 

 

Запрос Корзина 0