74ХК4052; 74ХКТ4052
Удваивает мультиплексор 4 каналов сетноой-аналогов, демультиплексор
ОСОБЕННОСТИ
• Широкий ряд напряжения тока ввода аналога от в −5 в до +5
• Низкое На-сопротивление:
– Ω 80 (типичное) на − в вККЭЭ = 4,5 в
– Ω 70 (типичное) на − в вККЭЭ = 6,0 в
– Ω 60 (типичное) на − в вККЭЭ = 9,0 в
• Перевод логики ровный: позволить логика 5 в связывать с аналоговыми сигналами ±5 в
• Типичный «перерыв перед делает» построенный внутри
• Исполняет с стандартом нет 7А ДЖЭДЭК
• Предохранение от ЭСД:
– ХБМ ЭИА/ДЖЭСД22-А114-Б превышает 2000 в
– ММ ЭИА/ДЖЭСД22-А115-А превышает 200 В.
• Определенный от °К −40 к °К +85 и °К −40 до +125 °К.
ПРИМЕНЕНИЯ
• Сетноой-аналогов передавать по мультиплексу и демултиплексинг
• Цифров передавая по мультиплексу и демултиплексинг
• Стробировать сигнала.
ОПИСАНИЕ
74ХК4052 и 74ХКТ4052 высокоскоростные приборы КМОС Си-ворот и штырь совместимый с ХЭФ4052Б. Они определены в согласии с стандартом нет 7А ДЖЭДЭК.
74ХК4052 и 74ХКТ4052 двойные 4 мультиплексора канала сетноых-аналогов или демультиплексоры с общим выбирают логику. Каждый мультиплексор имеет 4 независимых входные сигналы/выхода (штыри нИ0 к нИ3) и общего вход-выход (нЗ штыря). Логикс общего канала отборные включают 2 цифровых отборных входного сигнала (штыри С0 и С1) и активный НИЗКИЙ УРОВЕНЬ позволяет иньпут (штырь е). Когда штырь е = НИЗКИЙ, один из 4 переключателей выбран (На-государство низко-импеданса) с штырями С0 и С1. Когда штырь е = ВЫСОКИЙ, все переключатели в высокоимпедансном -государстве, независимом штырей С0 и С1.
ВКК и ГНД штыри подачи напряжения для входных сигналов цифрового контроля (штырей С0, С1, и е). ВКК к рядам ГНД 2,0 в к 10,0 в для 74ХК4052 и 4,5 в к 5,5 в для 74ХКТ4052. Вводы аналога/выходы (штыри нИ0 к нИ3 и нЗ) могут отбросить между вКК как положительный предел и вЭЭ как отрицательный предел. ВКК − вЭЭ не может превысить В. 10,0.
Для деятельности как цифровые мультиплексор/демультиплексор, вЭЭ соединен с (типично смолотым) ГНД.
ОГРАНИЧИВАЮЩИЕ ВЕЛИЧИНЫ
В соответствии с абсолютным максимумом системы рейтинга (ИЭК 60134); напряжения тока ссылаться на к вЭЭ = ГНД (земля = 0 в); примечание 1.
| СИМВОЛ |
ПАРАМЕТР |
УСЛОВИЯ |
МИНИМАЛЬНЫЙ. |
МАКС. |
БЛОК |
| ВКК |
подача напряжения |
|
−0.5 |
+11,0 |
В |
| ИИК |
течение диода входного сигнала |
ВЯ<> И > ВКК + 0,5 В |
− |
±20 |
мамы |
| ИСК |
переключите течение диода |
ВС<> С > ВКК + 0,5 В |
− |
±20 |
мамы |
| ИС |
переключите течение |
−0.5 В < V="">С < V="">КК + 0,5 В |
− |
±25 |
мамы |
| ИЭЭ |
В течениеЭЭ |
|
− |
±20 |
мамы |
| ИКК; ИГНД |
В течениеКК или ГНД |
|
− |
±50 |
мамы |
| Стг т |
температура хранения |
|
−65 |
+150 |
°К |
| Младенец п |
диссипация силы |
Амб т = °К −40 к °К +125; примечание |
− |
500 |
мВ |
| ПС |
диссипация силы в переключатель |
|
− |
100 |
мВ |
Примечания
1. Для избежания нарисовать течение вКК из нЗ штырей, когда течение переключателя пропускает в нИн штырей, падение напряжения тока через двухнаправленный переключатель не должно превысить 0,4 В. Если течение переключателя пропускает в нЗ штырей, то никакое течение вКК не пропустит из нИн штырей. В этом случае никакой предел для падения напряжения тока через переключатель, но напряжения тока на нИн и нЗ штырей не могут превысить вКК или вЭЭ.
2. Для пакетов ДИП16: над °К 70 дерате линейно с 12 мВ/К.
Для пакетов СО16: над °К 70 дерате линейно с 8 мВ/К.
Для пакетов ССОП16 и ТССОП16: над °К 60 дерате линейно с 5,5 мВ/К.
Для пакетов ДХВКФН16: над °К 60 дерате линейно с 4,5 мВ/К.
Функциональная диаграмма
