Транзистор 2СД1290 ньпн кремния высоковольтный общецелевой построенный в более влажном диоде
ОПИСАНИЕ
·С пакетом ТО-3ПН
·Встроенный диод демфера
·Высокое напряжение, высокая надежность
·Широкое пространство безопасной работы
ПРИМЕНЕНИЯ
·Для отклонения ТВ цвета горизонтального
применения выхода
ПРИКАЛЫВАНИЕ
| ПИН |
ОПИСАНИЕ |
| 1 |
Основание |
| 2 |
Сборник; подключенный с устанавливать основание
|
| 3 |
Излучатель |
Абсолютный максимум оценок (Та=25℃)
| СИМВОЛ |
ПАРАМЕТР |
УСЛОВИЯ |
ЗНАЧЕНИЕ |
БЛОК |
| ВКБО |
Напряжение тока коллектора- база |
Раскройте излучатель |
1500 |
В |
| ВЭБО |
напряжение тока Излучател-основания |
Раскройте сборник |
5 |
В |
| ИК |
Течение сборника (ДК) |
|
3 |
А |
| ИСМ |
Течение сборника (ИМП ульс) |
|
10 |
А |
| ПК |
Диссипация силы сборника |
ТК=25℃ |
50 |
В |
| Тдж |
Температура соединения |
|
130 |
℃ |
| Стг т |
Температура хранения |
|
-55~130 |
℃ |
ХАРАКТЕРИСТИКИ Тдж=25℃ если не указано иное
| СИМВОЛ |
ПАРАМЕТР |
УСЛОВИЯ |
МИНИМАЛЬНЫЙ. |
ТИП. |
МАКС. |
БЛОК |
| В(БР)ЭБО |
пробивное напряжение Излучател-основания |
Т.Е. =500мА; ИК=0 |
5 |
|
|
В |
| ВКЭсат |
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера |
ИК=2А; ИБ=0.75А |
|
|
5,0 |
В |
| ВБЭсат |
напряжение тока сатурации Основани-излучателя |
ИК=2А; ИБ=0.75А |
|
|
1,5 |
В |
| ИКБО |
Течение выключения сборника |
ВКБ=750В; Т.Е. =0
ВКБ=1500В; Т.Е. =0
|
|
|
50
1
|
μА
мамы
|
| ФЭ х |
Увеличение ДК настоящее |
ИК=2А; ВКЭ=10В |
3 |
|
8 |
|
| тс |
Продолжительность хранения |
ИК=2А иЛеак=0.75А, лБ=5μХ |
3 |
|
7 |
μс |
| тф |
Время падения |
|
|
1 |
μс |
| ВФ |
Пропускное напряжение диода |
ИФ=-4А, ИБ=0 |
|
|
2,2 |
В |
ПЛАН ПАКЕТА
