Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Сайт Участник
10 лет
Главная / продукты / Power Mosfet Transistor /

Транзисторы мосфет наивысшей мощности МДЖД112Т4Г, комплементарные транзисторы силы Дарлинтон

контакт
Anterwell Technology Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissSharon Yang
контакт

Транзисторы мосфет наивысшей мощности МДЖД112Т4Г, комплементарные транзисторы силы Дарлинтон

Спросите последнюю цену
Номер модели :МДЖД112Т4Г
Место происхождения :Первоначально фабрика
Количество минимального заказа :10pcs
Термины компенсации :T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы :8600пкс
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :пожалуйста свяжитесь я для деталей
Напряжение тока Collector−Emitter :100 Вдк
Напряжение тока Collector−Base :100 Вдк
Напряжение тока Emitter−Base :5 VDC
Ток базы :мАдк 50
Диссипация полной силы @ ТК = 25°К :20 w
Operating и диапазон температур соединения хранения :−65 к °К +150
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

 

Транзисторы мосфет наивысшей мощности МДЖД112Т4Г, комплементарные транзисторы силы Дарлинтон

 

МДЖД112 (НПН)

МДЖД117 (ПНП)

Комплементарные транзисторы силы Дарлинтон

 

ДПАК для поверхностных применений держателя

 

ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ

2 АМПЕРА

100 ВОЛЬТ

20 ВАТТ

 

Конструированный для общецелевых силы и переключения как выход или задающие каскады в применениях как регуляторы переключения, конвертеры, и усилители силы.

 

Особенности

• Пакеты Пб−Фре доступны

• Руководство сформированное для поверхностных применений держателя в пластиковых рукавах (никакой суффикс)

• Прямая версия руководства в суффикс пластиковых рукавов ("−1»)

• Версия сформированная руководством в ленте 16 мм и вьюрке («Т4» и суффикс «РЛ»)

• Электрически подобный популярной серии ТИП31 и ТИП32

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ

Классифицировать Символ Макс Блок
Напряжение тока Коллектор−Эмиттер ВГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР 100 Вдк
Напряжение тока Коллектор−Басе ВКБ 100 Вдк
Напряжение тока Эмиттер−Басе ВЭБ 5 Вдк

− течения сборника непрерывное

                               Пик

ИК

2

4

Адк
Ток базы ИБ 50 мАдк

Диссипация полной силы @ ТК = 25°К

         Дерате над 25°К

ПД

20

0,16

В

В/°К

Полные ЖИВОТИКИ Диссипатион* силы @ = 25°К

         Дерате над 25°К

ПД

1,75

0,014

В

В/°К

Оператинг и диапазон температур соединения хранения Тдж, стг т −65 до +150 °К

Максимальные оценки те значения за которыми повреждение прибора может произойти. Максимальные оценки приложенные к прибору индивидуальные предельные значения стресса (нормальные эксплуатационные режимы) и инвалидны одновременно. Если эти пределы превышены, то деятельность прибора функциональная не подразумевается, повреждение может произойти и надежность может быть затронута.

 

ДИАГРАММЫ МАРКИРОВКИ

Транзисторы мосфет наивысшей мощности МДЖД112Т4Г, комплементарные транзисторы силы Дарлинтон

 

РАЗМЕРЫ ПАКЕТА

ДПАК

СЛУЧАЙ 369К

ВОПРОС О

Транзисторы мосфет наивысшей мощности МДЖД112Т4Г, комплементарные транзисторы силы Дарлинтон

 

ДПАК−3

СЛУЧАЙ 369Д−01

ВОПРОС Б

Транзисторы мосфет наивысшей мощности МДЖД112Т4Г, комплементарные транзисторы силы Дарлинтон

 

 

 

 

 

Запрос Корзина 0