Микроконтроллеры вспышки УСБ обломока интегральной схемаы диода выпрямителя тока НГД8201НГ

NGD8201NG Rectifier Diode Интегральная схема Чип USB Flash - микроконтроллеры

NGD8201NG

Зажигание IGBT 20 А, 400 В, N-Channel DPAK

Этот логический уровень биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) характеристики монолитной схемы интеграции ОУР и перенапряжения зажат защиты для использования в индуктивной катушки драйверов приложений. Основные области применения включают зажигание, непосредственным впрыском топлива, или везде, где высокое напряжение и высокий ток коммутации требуется.

Особенности

• Идеально подходит для катушки-на-подключи и драйвер-на-Coil Applications

• DPAK Пакетные предложения меньше места для Повышена Board пространства

• затвор-эмиттер защиты ESD

• Температура компенсированный затвор-коллектор напряжения Зажим Пределы напряжений прикладывается к нагрузке

• Интегрированная защита ОУР диод

• Низкий порог напряжения для Сопряжение силовых нагрузок к логике или микропроцессорных устройств

• Низкое напряжение насыщения

• Высокий импульсный ток Возможность

• Дополнительный резистор затвора (RG) и затвор-эмиттер Резистор (РГП)

Приложения

• Системы зажигания

MAXIMUM РЕЙТИНГИ (TJ = 25 ° C , если не указано иное)

Оценка Символ Значение Единица измерения напряжения коллектор-эмиттер VCES 440 В

Коллектор-затворного напряжения VCER 440 В

Gate-эмиттер 15 V

Коллекторный ток-Continuous @ TC = 25 ° C - Импульсные IC 20 50

АЦП AAC Непрерывный ток затвора IG 1,0 мА

Переходный ток затвора (T ≤ 2 мс, F ≤ 100 Гц) IG 20 мА

ESD (Charged-Device Model) ESD 2,0 кВ

ESD (Human Body Model) R = 1500,

С = 100 пФ ЭСР 8,0 кВ ESD (Модель машины) R = 0, С = 200 пФ

ESD 500 В Общая рассеиваемая мощность @ TC = 25 ° C

Уменьшайте выше 25 ° C PD 125 0,83 WW / ° C

Рабочая и температура хранения Диапазон TJ, Tstg от -55 до +175 ° C

Часть списка акций