Категории продукта

обломок интегральной схемаы

[629]

programmable обломоки ic

[290]

Печатная плата чипов

[276]

Диод выпрямителя тока

[509]

Транзистор Mosfet силы

[450]

3 Pin Транзистор

[234]

RJ45 локальные сети Jack

[15]

Датчик давления IC

[55]

Модуль питания Mosfet

[72]

SMD феррит

[113]

smd вело диод

[42]

SMD резисторы

[31]

Электронные IC чипы

[509]

компоненты электроники

[204]

контакт

Anterwell Technology Ltd.

Город:shenzhen

Область/Штат:guangdong

Страна/регион:china

Контактное лицо:MissSharon Yang

контактная информация

контакт

П последовательного интерфейса СПИ

Спросите последнюю цену

Номер модели :MCP3201-CI/P

Место происхождения :Оригинал

Количество минимального заказа :5 шт

Термины компенсации :T/T, Western Union, Paypal

Способность поставкы :290pcs

Срок поставки :1 день

Упаковывая детали :пожалуйста свяжитесь я для деталей

ВДД. :7.0В

Все входы и выходы в.р.т. ВСС :-0.6В к ВДД +0.6В

Температура хранения :-65°C к +150°C

Окружающий temp. при приложенная сила :-65°К к +125°К

Предохранение от ЭСД на всех штырях (ХБМ). :> 4 кВ

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Особенности

• разрешение 12 битов

• ±1 ЛСБ максимальное ДНЛ

• ±1 ЛСБ максимальное ИНЛ (МКП3201-Б)

• ±2 ЛСБ максимальное ИНЛ (МКП3201-К)

• образец и владение На-обломока

• Последовательный интерфейс СПИ (режимы 0,0 и 1,1)

• Определите деятельность поставки: 2.7В - 5.5В

• частота отсчетов 100 кспс максимальная на ВДД = 5В

• частота отсчетов 50 кспс максимальная на ВДД = 2.7В

• Технология КМОС низкой мощности

• 500 течений нА типичных резервных, максимум 2 µА

• активный ток 400 µА максимальный на 5В

• Промышленный ряд темп: -40°К к +85°К

• 8 штырь пакеты МСОП, ПДИП, СОИК и ТССОП

Применения

• Интерфейс датчика

• Управление производственным процессом

• Сбор информации

• Системы эксплуатируемые батареей

Максимальное † оценок

ВДД ................................................................................... 7.0В

Все входы и выходы в.р.т. ВСС ................ -0.6В к ВДД +0.6В

Температура хранения ..................................... - 65°К к +150°К

Окружающий темп. с силой приложенное ................ - 65°К к +125°К

Предохранение от ЭСД на всех штырях (ХБМ) ................................. > 4 кВ