Категории продукта

обломок интегральной схемаы

[629]

programmable обломоки ic

[290]

Печатная плата чипов

[276]

Диод выпрямителя тока

[509]

Транзистор Mosfet силы

[450]

3 Pin Транзистор

[234]

RJ45 локальные сети Jack

[15]

Датчик давления IC

[55]

Модуль питания Mosfet

[72]

SMD феррит

[113]

smd вело диод

[42]

SMD резисторы

[31]

Электронные IC чипы

[509]

компоненты электроники

[204]

контакт

Anterwell Technology Ltd.

Город:shenzhen

Область/Штат:guangdong

Страна/регион:china

Контактное лицо:MissSharon Yang

контактная информация

контакт

Обломок Ик электроники обломока интегральной схемаы трансформатора АДТ1-1ВТ+ РФ

Спросите последнюю цену

Номер модели :ADT1-1WT+

Место происхождения :Первоначально фабрика

Количество минимального заказа :10pcs

Термины компенсации :T / T, Western Union, Paypal

Способность поставкы :2800pcs

Срок поставки :1 день

Упаковывая детали :пожалуйста свяжитесь я для деталей

Операционная Температура :-20°C к 85°C

Температура хранения :-55°C к 100°C

Сила RF :0.5W

Течение DC :30mA

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Трансформатор АДТ1-1ВТ+ РФ

Максимальные оценки

Рабочая температура -20°К к 85°К

Температура хранения -55°К к 100°К

Сила 0.5В РФ

ДК настоящее 30мА

Соединения Пин

ОСНОВНАЯ ТОЧКА 3

ОСНОВНОЕ 1

ВТОРИЧНАЯ ТОЧКА 6

ВТОРИЧНЫЕ 4

СЭКОНАРИ КТ 2

ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ 5

Чертеж плана

Особенности

• превосходная неуравновешенность амплитуды, 0,1 типа дБ. и неуравновешенность участка, 1 дег. тип. в ширине полосы частот 1дБ

• водное вашабле

• защищенный под патентом 6 133 525 США

Применения

• соответствовать импеданса

• симметричный усилитель

Электротехнические условия трансформатора

Ω

КОЭФФИЦИЕНТ

ЧАСТОТА

(МХз)

ВВОД ЛОСС*

3дБ 2дБ 1дБ

МХз МХз МХз

УЧАСТОК

НЕУРАВНОВЕШЕННОСТЬ

(Дег.)

Тип.

1 ширина полосы частот ширины полосы частот дБ дБ 2

АМПЛИТУДА

НЕУРАВНОВЕШЕННОСТЬ

(дБ)

Тип.

1 ширина полосы частот ширины полосы частот дБ дБ 2

0.4-800

0.4-800 0.5-700 1-400

1 4

0,1 0,5

* вносимая потеря ссылаться на потеря средний-диапазона, 0,3 типа дБ.

Типичные эксплуатационные данные

УЧАСТОК АМПЛИТУДЫ ВХОДНОГО СИГНАЛА ИНЭРТИОН ЧАСТОТЫ

(МХз) НЕУРАВНОВЕШЕННОСТЬ ПОТЕРИ Р. ПОТЕРИ НАРУШАТЬ РАВНОВЕСИЕ

(дБ) (дБ) (дБ) (Дег.)

0,30 0,68 12,11 0,15 0,25

1,00 0,57 14,38 0,07 0,36

5,00 0,42 15,29 0,03 0,41

10,00 0,38 15,54 0,00 0,40

25,00 0,38 15,73 0,02 0,37

50,00 0,38 15,91 0,03 0,49

200,00 0,48 17,38 0,03 1,48

400,00 0,64 19,64 0,26 2,02

600,00 1,18 15,20 0,79 1,45

800,00 2,44 9,75 1,72 0,40

ВНОСИМАЯ ПОТЕРЯ АДТ1-1ВТ

Метки товара:

smd chip inductors

gaas amplifier module

smd chip inductor

Запрос Корзина 0