продукты Поставщики Sign in Register

Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Сайт Участник
9 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / Power Mosfet Transistor /

N - Транзистор влияния поля П0903БДЛ режима повышения уровня логики канала

Категории продукта

обломок интегральной схемаы

 [629]

programmable обломоки ic

 [290]

Печатная плата чипов

 [276]

Диод выпрямителя тока

 [509]

Транзистор Mosfet силы

 [450]

3 Pin Транзистор

 [234]

RJ45 локальные сети Jack

 [15]

Датчик давления IC

 [55]

Модуль питания Mosfet

 [72]

SMD феррит

 [113]

smd вело диод

 [42]

SMD резисторы

 [31]

Электронные IC чипы

 [509]

компоненты электроники

 [204]
контакт
Anterwell Technology Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissSharon Yang
контактная информация
контакт
China N - Транзистор влияния поля П0903БДЛ режима повышения уровня логики канала wholesale
  • China N - Транзистор влияния поля П0903БДЛ режима повышения уровня логики канала wholesale

N - Транзистор влияния поля П0903БДЛ режима повышения уровня логики канала
Спросите последнюю цену
Номер модели :П0903БДЛ
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :5 шт
Термины компенсации :T/T, Western Union, Paypal
Способность поставкы :290pcs
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :пожалуйста свяжитесь я для деталей
Напряжение тока Строб-Источника :20 в
Непрерывное течение стока :50 а
Пульсированный сток Куррент1 :200 а
Работая диапазон температур соединения & хранения :°C -55 до 150
Температура руководства (1 /16» от случая на сек 10.) :°К 275
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

 

ОЦЕНКИ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДА СОУРКЭ-ДРАИН (ТК = °К 25)

Непрерывно протекающий ток   ИС       50      А
Пульсированное течение3   ИСМ       150
Пропускное напряжение1 ВСД Ис = 25А, ВГС = 0В   0,9 1,3      В
Обратное время восстановления трр Иф = Ис, длФ/дт = 100А/µС   70        нС
Пиковое течение обратного спасения ИРМ (РЭК)   200          А 
Обратная обязанность спасения     0,043        µК

 

 

ТИПИЧНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

N - Транзистор влияния поля П0903БДЛ режима повышения уровня логики канала

Метки товара:

analog vlsi design

vlsi circuit design

cmos vlsi design
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4