Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Сайт Участник
9 лет
Главная / продукты / Power Mosfet Transistor /

Применения Амп силы транзистора 2СК2274 НПН помещенные пластмассой низкочастотные

контакт
Anterwell Technology Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissSharon Yang
контакт

Применения Амп силы транзистора 2СК2274 НПН помещенные пластмассой низкочастотные

Спросите последнюю цену
Номер модели :2SC2274
Место происхождения :Первоначально фабрика
Количество минимального заказа :20
Термины компенсации :T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы :10000
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :пожалуйста свяжитесь я для деталей
Высокое пробивное напряжение :Всео>=50/80В
Большой ток :Ик=500мА
Сборник к низкопробному напряжению тока :60V
Диссипация силы сборника :600 мВт
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

 

Транзистор НПН помещенный пластмассойПрименения Амп силы транзистора 2СК2274 НПН помещенные пластмассой низкочастотные

2СК2274

 
 

ОСОБЕННОСТИ

* высокое пробивное напряжение                                                            

* большой ток                    

* низкое напряжение тока сатурации

 

 

 

КЛАССИФИКАЦИЯ ФЭ х(1)

Продукт-ряд 2СК2274-Д 2СК2274-Э 2СК2274-Ф
  Ряд   60~120   100~200   160~320

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК (ЖИВОТИКОВ = 25°К если не указано иное)

   Параметр            Символ         Классифицировать        Блок
 Сборник к низкопробному напряжению тока             ВКБО            60         В
 Сборник к напряжению тока излучателя              ВГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР             50         В
 Излучатель к низкопробному напряжению тока              ВЭБО              5         В
 Течение сборника - непрерывное               ИК             0,5         А
 Диссипация силы сборника               ПК            600        мВ
 Термальное сопротивление от соединения к окружающему               РθДжА            208      °К/в
 Соединение, температура хранения               ТДж, ТСТГ      150, -55~150          °К

 

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (ЖИВОТИКИ = 25°К если не указано иное)

  Параметр   Символ   Минимальный.  Тип.   Макс. Блок    Условия испытаний
Сборник для того чтобы основать пробивное напряжение  В(БР)КБО  60

  --

   --   В  ИК=0.01мА, Т.Е. =0
Сборник к пробивному напряжению излучателя  ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В(БР)   50    --    --   В  ИК=1мА, ИБ=0
Излучатель для того чтобы основать пробивное напряжение  В(БР)ЭБО    5    --    --   В  Т.Е. =0.01МА, ИК=0
Течение выключения сборника   ИКБО    --    --    1   μА  ВКБ=40В, Т.Е. =0
Течение выключения излучателя   ИЭБО    --    --    1   μА  ВЭБ=4В, ИК=0
Увеличение ДК настоящее

  ФЭ х(1)

  ФЭ х(2)

  60

  35

   --

   --

  320

   --

 

 ВКЭ=5В, ИК=50мА

 ВКЭ=5В, ИК=400мА

Сборник к напряжению тока сатурации излучателя   В(сидеть)КЭ    --    --   0,6   В  ИК=400мА, ИБ=40мА
Основание к напряжению тока излучателя   В(сидеть)    --    --   1,2   В  ИК=400мА, ИБ=40мА
Частота перехода    фт    --   120    --   МХз  ВКЭ=10В, ИК=10мА
Емкость выхода сборника    Об к    --    5    --    пФ  ВКБ=10В, ф=1МХз

 

 

 

 

 

 

Запрос Корзина 0