Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Сайт Участник
10 лет
Главная / продукты / 3 Pin Transistor /

Пластиковый мосфет силы Дарлинтон комплементарный, транзисторы силы 2Н6038 кремния

контакт
Anterwell Technology Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissSharon Yang
контакт

Пластиковый мосфет силы Дарлинтон комплементарный, транзисторы силы 2Н6038 кремния

Спросите последнюю цену
Номер модели :2N6038
Место происхождения :Первоначально фабрика
Количество минимального заказа :20
Термины компенсации :T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы :10000
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :пожалуйста свяжитесь я для деталей
Материал :пластиковых пакетов
Напряжение тока Collector−Base :60
Оценки ЭСД :Модель машины, к; > модель человеческого тела 400 в, 3Б; > 8000 в
Эпоксидная смола встречает :УЛ 94 В−0 @ 0,125 внутри
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Пластиковый мосфет силы Дарлинтон комплементарный, транзисторы силы 2Н6038 кремния

 

Пластиковые транзисторы силы кремния Дарлинтон комплементарные конструированы для общецелевого усилителя и лов−спед переключая применений.

 

• Высокое увеличение ДК настоящее — хФЭ = 2000 (тип) @ ИК = 2,0 Адк

• Напряжение тока коллектор- эмиттера терпя — @ мАдк 100

                                             Вглавный исполнительный директор(сус) = 60 Вдк (минута) — 2Н6035, 2Н6038 = 80 Вдк

                                              (Минута) — 2Н6036, 2Н6039

• Препровождайте пристрастному второму нервному расстройству настоящую возможность иС/б = 1,5 Адк @ 25 Вдк

• Монолитовая конструкция с встроенными резисторами Основани-излучателя к умножению ЛимитЭЛеакаге

• Пакет пластмассы коэффициента ТО-225АА Представлени-к-цены Космос-сбережений высокий

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ

Классифицировать Символ Значение Блок

Напряжение тока 2Н6034 Коллектор−Эмиттер

                                         2Н6035, 2Н6038

                                         2Н6036, 2Н6039

  ВГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР

  40

  60

  80

  Вдк

Напряжение тока 2Н6034 Коллектор−Басе

                                      2Н6035, 2Н6038

                                      2Н6036, 2Н6039

  ВКБО

  40

  60

  80

  Вдк
Напряжение тока Эмиттер−Басе   ВЭБО   5,0   Вдк

Течение сборника непрерывное

                                       Пик

  ИК

  4,0

  8,0

  Адк

  Апк

Ток базы   ИБ   100   мАдк

Полная диссипация прибора @ ТК = 25°К

Дерате над 25°К

  ПД

  40

  320

    В

  мВ/°К

Полная диссипация прибора @ ТК = 25°К

Дерате над 25°К

  ПД

  1,5

  12

    В

  мВ/°К

Оператинг и диапазон температур соединения хранения   Тдж, стг т   – 65 до +150   °К

 

ТЕРМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Характерный Символ Макс Блок
Термальное сопротивление, Джунктион−то−Касе РДЖК 3,12 °К/В
Термальное сопротивление, Джунктион−то−Амбиент РДЖА 83,3 °К/В

Стрессы превышая максимальные оценки могут повредить прибор. Максимальные оценки оценки стресса только. Функциональная деятельность над порекомендованными эксплуатационными режимами не подразумевается. Выдвинутое подвержение к стрессам над порекомендованными эксплуатационными режимами может повлиять на надежность прибора.

 

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (ТК = 25К если не указано иное)

Характерный Символ Минута Макс Блок
С ХАРАКТЕРИСТИК        

Напряжение тока Коллектор−Эмиттер терпя

(ИК = 100 мАдк, ИБ = 0) 2Н6034 2Н6035, 2Н6038 2Н6036, 2Н6039

  Вглавный исполнительный директор(сус)

  40

  60

  80

  --

  --

  --

  Вдк

Течение Коллектор−Кутофф

(ВКЭ = 40 Вдк, ИБ = 0) 2Н6034

(ВКЭ = 60 Вдк, ИБ = 0) 2Н6035, 2Н6038

(ВКЭ = 80 Вдк, ИБ = 0) 2Н6036, 2Н6039

  ИГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР

  --

  -- 

  --

  100

  100

  100

  уА

Течение Коллектор−Кутофф

(ВКЭ = 40 Вдк, ВБЭ () = 1,5 Вдк) 2Н6034

(ВКЭ = 60 Вдк, ВБЭ () = 1,5 Вдк) 2Н6035, 2Н6038

(ВКЭ = 80 Вдк, ВБЭ () = 1,5 Вдк) 2Н6036, 2Н6039

(ВКЭ = 40 Вдк, ВБЭ () = 1,5 Вдк, ТК = 125К) 2Н6034

(ВКЭ = 60 Вдк, ВБЭ () = 1,5 Вдк, ТК = 125К) 2Н6035, 2Н6038

(ВКЭ = 80 Вдк, ВБЭ () = 1,5 Вдк, ТК = 125К) 2Н6036, 2Н6039 

  ИКЭС

  --

  -- 

  --

  --

  --

  --

  100

  100

  100

  500

  500

  500

  уА

Течение Коллектор−Кутофф

(ВКБ = 40 Вдк, ИЭ = 0) 2Н6034

(ВКБ = 60 Вдк, ИЭ = 0) 2Н6035, 2Н6038

(ВКБ = 80 Вдк, ИЭ = 0) 2Н6036, 2Н6039

  ИКБО

  --

  --

  --

  0,5

  0,5

  0,5

  мАдк
Течение Эмиттер−Кутофф (ВБЭ = 5,0 Вдк, ИК = 0)   ИЭБО   --   2,0   мАдк
НА ХАРАКТЕРИСТИКАХ        

Увеличение ДК настоящее

     (ИК = 0,5 Адк, ВКЭ = 3,0 Вдк)

     (ИК = 2,0 Адк, ВКЭ = 3,0 Вдк)

     (ИК = 4,0 Адк, ВКЭ = 3,0 Вдк)

  хФЭ

  500

  750

  100

   --

  15 000

   --

  --

Напряжение тока сатурации Коллектор−Эмиттер

     (ИК = 2,0 Адк, ИБ = мАдк 8,0)

     (ИК = 4,0 Адк, ИБ = мАдк 40)

  В(сидеть)КЭ

  --

  --

  2,0

  3,0

  Вдк

Напряжение тока сатурации Басе−Эмиттер

     (ИК = 4,0 Адк, ИБ = мАдк 40)

  В(сидеть)   --   4,0   Вдк

Басе−Эмиттер на напряжении тока

     (ИК = 2,0 Адк, ВКЭ = 3,0 Вдк)

  В(дальше)   --   2,8   Вдк
ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИНАМИЧЕСКОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ        

Смалл−Синьял Куррент−Гайн

     (ИК = 0,75 Адк, ВКЭ = 10 Вдк, ф = 1,0 МХз)

  |фе х|   25   --   --

Емкость выхода

(ВКБ = 10 Вдк, ИЭ = 0, ф = 0,1 МХз) 2Н6034, 2Н6035, 2Н6036 2Н6038, 2Н6039

  Об к

  --

  --

  200

  100

  пФ

Данные по *Индикатес зарегистрированные ДЖЭДЭК.

 

Пластиковый мосфет силы Дарлинтон комплементарный, транзисторы силы 2Н6038 кремния

 

 

Пластиковый мосфет силы Дарлинтон комплементарный, транзисторы силы 2Н6038 кремния

 

Пластиковый мосфет силы Дарлинтон комплементарный, транзисторы силы 2Н6038 кремния

Пластиковый мосфет силы Дарлинтон комплементарный, транзисторы силы 2Н6038 кремния

Пластиковый мосфет силы Дарлинтон комплементарный, транзисторы силы 2Н6038 кремния

Запрос Корзина 0