Новый/первоначальный транзистор Мосфет силы НПН ДВУХПОЛЯРНЫЙ 120 вольт 0,5 Ампс 2Н1893
Максимальные оценки
| КЛАССИФИЦИРОВАТЬ | СИМВОЛ | МАКС. | БЛОК
|
| Напряжение тока коллектор- эмиттера | ВГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР | 80 | Вдк |
| Напряжение тока коллектор- эмиттера | ВКЭР | 100 | Вдк |
| Напряжение тока коллектора- база | ВКБО | 120 | Вдк |
| Напряжение тока Излучател-основания | ВЭБО | 7,0 | Вдк |
| Течение сборника - непрерывное | ИК | 0,5 | Адк |
| Полная диссипация @ Т прибора а = 25оК Дерате над 25оК | ПД | 0,8
4,57 | Ватт мВ/оК |
| Полная диссипация @ т прибора к = 25оК Дерате над 25оК | ПД | 3,0
17,2 | Ватт мВ/оК |
| Температурная амплитуда рабочей температуры | ТДж | -55 до +200 | оК |
| Диапазон температур хранения | ТС | -55 до +200 | оК |
| Термальное сопротивление, соединение к окружающему | РкДжА | 219 | оК/В |
| Термальное сопротивление, соединение к случаю | РкДжА | 58 | оК/В |
Электрические параметры (ЖИВОТИКИ @ 25°К если не указано иное)| ХАРАКТЕРИСТИКИ | СИМВОЛ | МИНИМАЛЬНЫЙ. | ТИП. | МАКС. | БЛОК |
| С характеристик | | | | |
| Пробивное напряжение коллектор- эмиттера (И к = 100 мАдк, РБЭ = 10 омов) (1) | БВКЭР | 100 | | -- |
| Напряжение тока коллектор- эмиттера терпя (1) (И к = 30 мАдк, ИБ = 0) (1) | ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР БВ | 80 | | -- |
| Пробивное напряжение коллектора- база (И к = 100 мАдк, ИЭ = 0) | БВ(БР)КБО | 120 | | -- | Вдк |
| Пробивное напряжение Излучател-основания (ИЭ = 100 мАдк, ИК = 0) | БВ(БР)КБО | 7,0 | | -- |
| Начальный ток коллектора (КБ В = 90 Вдк, ИЭ = 0) (КБ В = 90 Вдк, ИЭ = 0, ЖИВОТИКИ = 150о к) | ИКБО | --
-- | | 0,01
15 | мАдк |
| Течение выключения излучателя (ВЭБ = 5,0 Вдк, ИК = 0) | ИЭБО | -- | | 0,01 | мАдк |
| На характеристиках | | | | | |
| D.C. Настоящее увеличение (ИК = 0,1 мАдк, ВКЭ = 10 Вдк) (И к = 10мАдк, ВКЭ = 10 Вдк) (1) (И к = 10мАдк, ВКЭ = 10 Вдк, ЖИВОТИКИ = -55о к) (1) (И к = 150мАдк, ВКЭ = 10 Вдк) (1) | ФЭ х | 20
35
20
40 | | --
--
--
120 | -- |
| Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера (1) (ИК = 150 мАдк, ИБ = мАдк 15) | ВКЭ(Сат) | -- | | 0,5 | Вдк |
| Напряжение тока сатурации Основани-излучателя (1) (Ик = 150 мАдк, ИБ = мАдк 15) | ВКЭ(Сат) | -- | | 1,3 | Вдк |
| Величина небольшого коэффициента пропускного тока короткого замыкания сигнала (И к = 50 мАдк, ВКЭ = 10 Вдк, ф = 20 МХз) | /hfe/ | 3 | | 10 | |
| Емкость выхода (КБ В = 10 Вдк, ИЭ = 0, ф = 1,0 МХз) | ОБО К | 5 | | 15 | пФ |
| Входное комплексное сопротивление = (И к = 5,0 мАдк, ВКБ = 10 Вдк, ф = 1.0кХз) | иб х | 4,0 | | 8,0 | Омы |
| Коэффициент обратной связи напряжения тока (И к = 5,0 мАдк, ВКБ = 10 Вдк, ф = 1,0 КГц) | рб х | -- | | 1,5 | С 10-4 |
| Увеличение Небольш-сигнала настоящее (И к = 1,0 мАдк, ВкБ = 5.0Вдк, ф = 1,0 КГц) (И к = мАдк 5,0, ВКБ = 10 Вдк, ф = 1,0 КГц) | фе х | 35
45 | | 100
-- | -- |
| Вход выхода (И к = 5,0 мАдк, ВКБ = 10 Вдк, ф = 1,0 КГц) | об х | --
-- | | 0,5 | ммхо |
| Ответ ИМПа ульс (Вкк = 20Вдк, Ик = 500мАдк) | тна + т | -- | | 30 | нс |
