Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Сайт Участник
10 лет
Главная / продукты / Модуль силы Mosfet /

Модуль Mosfet силы ST

контакт
Anterwell Technology Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissSharon Yang
контакт

Модуль Mosfet силы ST

Спросите последнюю цену
Brand Name :ONSEMI
Model Number :MJ15024G
Certification :Original Factory Pack
Place of Origin :Mexico
MOQ :5pcs
Price :Negotiation
Payment Terms :T/T, Western Union,PayPal
Supply Ability :320PCS
Delivery Time :1 Day
Packaging Details :please contact me for details
Feature :High Safe Operating Area (100% Tested) −2 A @ 80 V
DC Current :High DC Current Gain − hFE = 15 (Min) @ IC = 8 Adc
Condition :• Pb−Free
Package :TO-204
Main Line :Ic,module,transistor,diodes,capacitor,resistor Etc
Factory Pack :100pcs/Tray
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

 

− MJ15024G PNP

Транзисторы силы кремния

  MJ15023 и MJ15025 транзисторы силы PowerBase конструированные для аудио наивысшей мощности, позиционеров диска главных и других линейных применений.

 

 

Особенности

• Высокая безопасная рабочая зона (испытанное 100%) −2 a @ 80 v

• Высокое hFE − настоящего увеличения DC = 15 (минута) @ IC = 8 Adc

• Пакеты Pb−Free Available*

 

Модуль Mosfet силы STMJ1502x = код прибора

x = 3 или 5

G = пакет Pb−Free

= положение собрания

Y = год

WW = неделя работы

MEX = страна происхождения

 

 

 

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

             
ПриборПакетДоставка
MJ15024TO−204100 блоков/поднос
MJ15024G

TO−204

(Pb−Free)

 
100 блоков/поднос
MJ15025TO−204 100 блоков/поднос
MJ15025G

TO−204

(Pb−Free)

100 блоков/поднос

 

 

 

Модуль Mosfet силы ST

   2 ограничения на powerhandling способности транзистора: средняя температура соединения и второе нервное расстройство. Безопасные кривые рабочей зоны показывают что − VCE IC ограничивается транзистора которым необходимо наблюдать для надежной деятельности; т.е., транзистору необходимо подвергнуть к большей диссипации чем кривые показывают.

 

  Данные диаграммы 1 основаны на TJ (pk) = 200C; TC переменн в зависимости от условий. На высоких температурах случая, термальные ограничения уменьшат силу которую можно обращаться к значениям более менее чем ограничения наведенные вторым нервным расстройством.

 

 

 

 

 

ТИПИЧНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Модуль Mosfet силы ST

Запрос Корзина 0