Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Сайт Участник
10 лет
Главная / продукты / Mosfet Power Module /

Модуль диода тиристора IC Netz модуля силы Mosfet управлением участка

контакт
Anterwell Technology Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissSharon Yang
контакт

Модуль диода тиристора IC Netz модуля силы Mosfet управлением участка

Спросите последнюю цену
Номер модели :TT425N12KOF
Место происхождения :Китай
Количество минимального заказа :2PCS
Термины компенсации :T / T, Western Union, PayPal
Способность поставкы :300PCS
Срок поставки :Предложение штока
Упаковывая детали :пожалуйста попросите детали
Линия :Ic, модуль, транзистор, диоды, конденсатор, резистор etc
прессформа :Модуль тиристора управлением участка
Тип Heatsink :KM17
Условие :new&original 100%
more
контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Модуль диода тиристора ИК Нетц модуля силы Мосфет управлением участка

 

 

поверблок ик ТТ425Н12КОФ модуля

 

Электрише Айгеншафтен/электрические свойства

Хöкстцулäссиге Верте/максимальные нормированные величины

 

-государство и обратные напряжения Рüквäрц-Спиценсперрспаннунг унд Периодише Ворвäрц- повторяющийся пиковое переднее Твдж = -40°К… Твдж максимальное ВДРМ, ВРРМ

1000 1400

1200 1600

           1800

В

В

В

Напряжение тока -государства Ворвäрц-Стоßспиценсперрспаннунг бесповторное пиковое переднее Твдж = -40°К… Твдж максимальное ВДСМ

1000 1400

1200 1600

           1800

В

В

В

Течение на-государства Дурчлаßстром-Гренцеффективверт максимальное РМС Твдж =+25°К… Твдж максимальное ВРСМ    
Течение на-государства Дурчлаßстром-Гренцеффективверт максимальное РМС   ИТРМСМ 800 А
На-государство Дауэргренцстром среднее настоящее ТК = 85°К ТК = 74°К ИТАВМ 425 510 А а

ТК = 85°К

ТК = 74°К

 

425

510

А

А

Течение пульсации Стоßстром-Гренцверт

Твдж = °К 25 тП = госпожа 10

 Твдж = Твдж максимальное тП = госпожа 10

ИТСМ

14500

12500

А

А

Т-значение ² Гренцластинтеграл и

Твдж = °К 25 тП = госпожа 10

Твдж = Твдж максимальное тП = госпожа 10

И ² т

² с

² с

А

А

Тариф Критише Стромстайльхайт критический подъема течения на-государства ИЭК 747-6 ДИН ф = 50 Хз, иГМ = 1 а, диГ/дт = 1 А/µс кр (дИТ/дт)

120

А/µс
Тариф Критише Спаннунгсстайльхайт критический подъема напряжения тока -государства Твдж = Твдж максимальное, вД = 0,67 ВДРМ 6.Кеннбукстабе/6-ое письмо ф кр (двД/дт) 1000 В/µс

 

Электрише Айгеншафтен/электрические свойства

Чарактеристише Верте/характеристические значения

 

Время поворота- Фрайвердезайт коммутированное цепью Твдж = Твдж максимальное, иТМ = вРМ ИТАВМ = 100 в, вДМ = 0,67 ВДРМ двД/дт = 20 В/µс, - диТ/дт = 10 А/µс 5.Кеннбукстабе/5-ое письмо о тк тип 250 µс
Напряжение тока теста изоляции изоляций-Прüфспаннунг РМС, ф = 50 Хз, т = 1 минимальный РМС, ф = 50 Хз, т = 1 сек ВИСОЛ

3,0

3,6

Кв

Кв

 

Луфцельбсткüхлунг/естественное охлаждающ 1 Модул про Кüхлкöрпер/1 модуль в хэацинк Кüхлкöрпер/тип Хеацинк: КМ 17 (120В) 

 

Верстäркте Кüхлунг/принудительное охлаждение 1 Модул про Кüхлкöрпер/1 модуль в хэацинк Кüхлкöрпер/тип Хеацинк: КМ17 (Папст 4650Н)

 

нев&оригинал 100%

Запрос Корзина 0
может, тебе нравится
Модуль силы SMD Mosfet низшего напряжения до версии PKF4510PI отверстия
Модуль силы SMD Mosfet низшего напряжения до версии PKF4510PI отверстия
МОДУЛЬ 7МБР75УБ120-50 ИГБТ (серия) у пакет компакта 1200В/75А/ПИМ низкий (сидеть) ВКЭ
МОДУЛЬ 7МБР75УБ120-50 ИГБТ (серия) у пакет компакта 1200В/75А/ПИМ низкий (сидеть) ВКЭ
Мост h возможности короткого замыкания SOA модуля силы Mosfet Superjunction
Мост h возможности короткого замыкания SOA модуля силы Mosfet Superjunction
Толковейшая электроника IC MIG30J103H модуля силы Lgbt канала n кремния
Толковейшая электроника IC MIG30J103H модуля силы Lgbt канала n кремния
Комплементарный полупроводник Mosfet MJ15025G транзисторов силы кремния
Комплементарный полупроводник Mosfet MJ15025G транзисторов силы кремния
Наивысшая мощность Amplier D.P.P модуля силы STK2240 Mosfet ST Af. Серия
Наивысшая мощность Amplier D.P.P модуля силы STK2240 Mosfet ST Af. Серия
Усилитель RF линейный LDMOS диапазона частей 3G IC модуля силы Mosfet MHL21336
Усилитель RF линейный LDMOS диапазона частей 3G IC модуля силы Mosfet MHL21336
Модуль силы Mosfet низшего напряжения
Модуль силы Mosfet низшего напряжения
Мощность звуковой частоты Ic AB
Мощность звуковой частоты Ic AB
Модуль Mosfet силы ST
Модуль Mosfet силы ST
Микроконтроллер модуля силы Мосфет микросхем МК68332АКФК16 и интегральных схема трицатидвухразрядный модульный
Микроконтроллер модуля силы Мосфет микросхем МК68332АКФК16 и интегральных схема трицатидвухразрядный модульный
Привод молотка применений переключения наивысшей мощности модуля силы Мосфет МП4104, привод мотора ИМПа ульс
Привод молотка применений переключения наивысшей мощности модуля силы Мосфет МП4104, привод мотора ИМПа ульс
Модуль силы мосфет ИГБТ силы ст модуля силы Мосфет ФГХ40Н60СМД
Модуль силы мосфет ИГБТ силы ст модуля силы Мосфет ФГХ40Н60СМД
Модуль силы СМД Мосфет БНС016-01/тип модуль БЛОКА обломока ИК запирающих фильтров ЭМИ
Модуль силы СМД Мосфет БНС016-01/тип модуль БЛОКА обломока ИК запирающих фильтров ЭМИ
Усилитель силы автомобильного радиоприемника обломока стерео БТЛ интегральной схемаы ТДА8563К с диагностическим объектом
Усилитель силы автомобильного радиоприемника обломока стерео БТЛ интегральной схемаы ТДА8563К с диагностическим объектом
отправить сообщение с этим поставщиком
*Из:
*Для того, чтобы:

Anterwell Technology Ltd.

*Предмет:
*Сообщение:
остальные персонажи : (0/3000)
контакт