продукты Поставщики Sign in Register

Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Сайт Участник
10 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / 3 Pin Transistor /

Первоначально компоненты FET IC MOS канала n кремния транзистора 2SK1305

Категории продукта

обломок интегральной схемаы

 [629]

programmable обломоки ic

 [290]

Печатная плата чипов

 [276]

Диод выпрямителя тока

 [509]

Транзистор Mosfet силы

 [450]

3 Pin Транзистор

 [234]

RJ45 локальные сети Jack

 [15]

Датчик давления IC

 [55]

Модуль питания Mosfet

 [72]

SMD феррит

 [113]

smd вело диод

 [42]

SMD резисторы

 [31]

Электронные IC чипы

 [509]

компоненты электроники

 [204]
контакт
Anterwell Technology Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissSharon Yang
контактная информация
контакт
China Первоначально компоненты FET IC MOS канала n кремния транзистора 2SK1305 wholesale
  • China Первоначально компоненты FET IC MOS канала n кремния транзистора 2SK1305 wholesale

Первоначально компоненты FET IC MOS канала n кремния транзистора 2SK1305
Спросите последнюю цену
Номер модели :2SK1305
Место происхождения :Япония
Количество минимального заказа :20
Термины компенсации :T/T, Western Union, Paypal
Способность поставкы :30000
Срок поставки :1
Упаковывая детали :пожалуйста свяжитесь я для деталей
отгрузка :DHL, Federal Express, UPS, EMS etc
Линия :Компоненты IC, транзистор, диод, модуль, конденсатор etc
Диссипация канала :25W
прессформа :Высокоскоростное переключение силы
D/C :°C
Пакет :TO-220F
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Первоначально компоненты FET IC MOS канала n кремния транзистора 2SK1305

 

 

 

Первоначально FET TO-3P MOS канала n кремния транзистора 2SK1305

 

 

Характеристики

 

• Низкое на-сопротивление

• Высокоскоростное переключение

• Течение низкого привода

•  прибора привода строба 4 v можно управлять от источника 5 v

• Соответствующий для привода мотора, конвертера DC-DC, переключателя мощности и соленоида управляйте

 

 

План

 

Первоначально компоненты FET IC MOS канала n кремния транзистора 2SK1305

 

Абсолютный максимум номинальностей

Деталь Символ Классифицировать Блок
Стеките к напряжению тока источника VDSS 100 V
Строб к напряжению тока источника VGSS ±20 V
Стеките течение Удостоверение личности 10 A
Стеките пиковое течение Удостоверение личности (ИМП ульс) *1 40 A
Тело для того чтобы стечь течение стока обратного диода IDR 10 A
Диссипация канала Pch*2 25 W
Температура канала Tch 150 °C
Температура хранения Tstg -50 до +150 °C

 

Примечания: 1. Μs ≤ 10 PW, ≤ 1% круга обязаностей

2. Значение на TC = 25°C

 

Первоначально компоненты FET IC MOS канала n кремния транзистора 2SK1305

Метки товара:

sram groupset

mosfet ic number

ic chip ba6v1x
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4