Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Сайт Участник
10 лет
Главная / продукты / 3 Pin Transistor /

оригинал транзистора кремния транзистора NPN Pin 2SC5242 3 эпитаксиальный

контакт
Anterwell Technology Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissSharon Yang
контакт

оригинал транзистора кремния транзистора NPN Pin 2SC5242 3 эпитаксиальный

Спросите последнюю цену
Номер модели :2SC5242
Место происхождения :Япония
Количество минимального заказа :50
Термины компенсации :T/T, Western Union, Paypal
Способность поставкы :4000
Срок поставки :1
Упаковывая детали :пожалуйста свяжитесь я для деталей
классифицирование r hFE :55-110
классифицирование o hFE :80-160
Линия :Компоненты IC, транзистор, диод, модуль, конденсатор etc
Напряжение :230v
температуры :-50-+150°C
Пакет :TO-3P
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

оригинал транзистора кремния транзистора NPN Pin 2SC5242 3 эпитаксиальный

 

 

 

Транзистор 2SC5242 кремния NPN эпитаксиальный 

 

Применения

• Высококачественный усилитель аудио

• Общецелевые характеристики усилителя силы

• Сильнотоковая возможность: IC = 15A

• Диссипация наивысшей мощности: 130watts

• Частота коротковолнового диапазона: 30MHz.

• Высокое напряжение: VCEO=230V

• Широкое S.O.A для надежной деятельности.

• Превосходные линеарности увеличения для низкого THD.

• Комплект к 2SA1962/FJA4213.

• Термальные и электрические модели специи доступны

• Такой же транзистор также доступен в: --Пакет TO264,

2SC5200/FJL4315: 150 ватт --Пакет TO220,

FJP5200: 80 ватт --Пакет TO220F, FJPF5200: 50 ватт

 

Абсолютный максимум Ratings* Ta = 25°C если в противном случае замеченный

 

Символ Параметр Номинальности Блоки
BVCBO Напряжение тока коллектора- база 230 V
CEO BV Напряжение тока коллектор- эмиттера 230 V
BVEBO Напряжение тока Излучател-Основания 5 V
IC Течение сборника (DC) 15 A
IB Основное течение 1,5 A
PD Полная диссипация прибора (TC=25°C) Derate над 25°C

130

1,04

W

W/°C

TJ, TSTG Температура соединения и хранения -50-+150 °C

* Эти номинальности ограничивающие величины над которыми сервисопригодность любого полупроводникового устройства может быть повреждена.

 

Термальное Characteristics* Ta=25°C если в противном случае замеченный

Символ Параметр МАКС. Блок
RθJC Термальное сопротивление, соединение к случаю 0,96 W/°C

* Прибор установленный на минимальном размере пусковой площадки

оригинал транзистора кремния транзистора NPN Pin 2SC5242 3 эпитаксиальный

 

 

 

Запрос Корзина 0