Общецелевой транзистор Mosfet/общецелевой транзистор NPN
Общецелевой транзистор
• Напряжение тока коллектор- эмиттера: VCEO= 60V
• Диссипация силы сборника: ПК (максимальное) =625mW
• См. KSP2907 для диаграмм
Транзистор кремния PNP эпитаксиальный
Абсолютный максимум номинальностей Ta=25°C если в противном случае замеченный
Блоки значения параметра символа
Напряжение тока коллектора- база -60 v VCBO
Напряжение тока коллектор- эмиттера -60 v VCEO
Напряжение тока -5 v Излучател-Основания VEBO
Течение сборника -600 IC mA
Диссипация силы 625 сборника ПК mW
Температура хранения -55 °C TSTG температуры соединения 150 TJ | °C 150
ОПРОВЕРЖЕНИЕ
ПОЛУПРОВОДНИК ФЭЙРЧАЙЛДА РЕЗЕРВИРУЕТ ПРАВО СДЕЛАТЬ ИЗМЕНЕНИЯ БЕЗ БОЛЕЕ ДАЛЬНЕИШЕГО ИЗВЕЩЕНИЯ К ВСЕМ ПРОДУКТАМ ЗДЕСЬ УЛУЧШИТЬ НАДЕЖНОСТЬ, ФУНКЦИЮ ИЛИ КОНСТРУКЦИЮ. ФЭЙРЧАЙЛД НЕ ПРИНИМАЕТ НИКАКОЙ ПАССИВ ВОЗНИКАЯ ИЗ ПРИМЕНЕНИЯ ИЛИ ПОЛЬЗЫ ЛЮБЫХ ПРОДУКТА ИЛИ ЦЕПИ ОПИСАННЫХ ЗДЕСЬ; НИ ДЕЛАЕТ ЕГО ТРАНСПОРТИРУЙТЕ ЛЮБУЮ ЛИЦЕНЗИЮ ПОД СВОИ ПАТЕНТНЫЕ ПРАВА, НИ ПРАВА ДРУГИХ.
ПОЛИТИКА ИСКУССТВЕННОГО ЖИЗНЕОБЕСПЕЧЕНИЯ
ПРОДУКТЫ ФЭЙРЧАЙЛДА НЕ УТВЕРЖЕНЫ ДЛЯ ПОЛЬЗЫ КАК КРИТИЧЕСКИЕ КОМПОНЕНТЫ В ПРИБОРАХ ИСКУССТВЕННОГО ЖИЗНЕОБЕСПЕЧЕНИЯ ИЛИ СИСТЕМЫ БЕЗ КУРЬЕРСКОГО НАПИСАННОГО УТВЕРЖДЕНИЯ ФЭЙРЧАЙЛДА ПОЛУПРОВОДНИКА КОРПОРАЦИИ.
| Символ |
Параметр |
Значение |
Блоки |
| VCBO |
Напряжение тока коллектора- база |
-60 |
V |
| VCEO |
Напряжение тока коллектор- эмиттера |
-60 |
V |
| VEBO |
Напряжение тока Излучател-Основания |
-5 |
V |
| IC |
Течение сборника |
-600 |
mA |
| ПК |
Диссипация силы сборника |
625 |
mW |
| TJ |
Температура соединения |
150 |
°C |
| TSTG |
Температура хранения |
-55 |
°C |
