Транзисторы Autoprotected VND3NV0413TR Mosfet силы короткого замыкания
Характеристики
| Тип |
RDS (дальше) |
Ilim |
Vclamp |
|
VNN3NV04
VNS3NV04
VND3NV04
VND3NV04-1
|
mΩ 120 |
3,5 A |
40 v |
Ограничение ■ линейное настоящее
Выключение восходящего потока теплого воздуха ■
Предохранение от короткого замыкания ■
Струбцина ■ интегрированная
Низкоточное ■ нарисованное от штыря входного сигнала
Обратная связь ■ диагностическая через штырь входного сигнала
Предохранение от ESD ■
Доступ ■ сразу к стробу MOSFET силы (управлять аналога)
■ совместимое с стандартным MOSFET силы в согласии с. - европейской директивой 2002/95/E
Описание
VNN3NV04, VNS3NV04, VND3NV04 VND3NV04-1, монолитовые приборы конструированные в технологии STMicroelectronics VIPower M0-3, предназначенной для замены стандартных MOSFETs силы от DC до применений 50 КГц. Построенный в термальном выключении, линейное настоящее ограничение и струбцина перенапряжения защищают обломок в жестковатых окружающих средах.
Обратная связь недостатка может быть обнаружена путем контролировать напряжение тока на штыре входного сигнала.
Сводка прибора
| Пакет |
Коды заказа |
| Пробка |
Пробка (бессвинцовая) |
Лента и вьюрок |
Свяжите тесьмой и намотайте (бессвинцовый) |
| SOT-223 |
VNN3NV04 |
- |
VNN3NV0413TR |
- |
| SO-8 |
VNS3NV04 |
- |
VNS3NV0413TR |
- |
| TO-252 |
VND3NV04 |
VND3NV04-E |
VND3NV0413TR |
VND3NV04TR-E |
Блок-схема и описание штыря
