TSAL4400 GaAs/иК GaAlAs испуская диод наивысшей мощности диода ультракрасный испуская
ХАРАКТЕРИСТИКИ 
• Тип пакета: освинцованный
• Форма пакета: T-1
• Размеры (в mm): ∅ 3
• Пиковая длина волны: λp = 940 nm
• Высокая надежность
• Высокая излучающая сила
• Высокая излучающая интенсивность
• Угол половинной интенсивности: ϕ = ± 25°
• Низкое пропускное напряжение
• Соответствующий для деятельности высокого ИМПа ульс настоящей
• Хороший спектральный соответствовать с фотодетекторами Si
• Спички пакета с детектором TEFT4300
• Руководство (Pb) - свободный компонент в соответствии с RoHS 2002/95/EC и WEEE 2002/96/EC
ОПИСАНИЕ
TSAL4400 инфракрасный, 940 nm испуская диод в технологии GaAlAs/GaAs при высокая излучающая сила отлитая в форму в голуб-сером пластичном пакете.
ПРИМЕНЕНИЯ
• Ультракрасные блоки дистанционного управления
• Системы передачи свободного воздуха
• Ультракрасный источник для оптически счетчиков и читателей карточки
| УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ |
| ПРИКАЗЫВАЯ КОД |
УПАКОВЫВАТЬ |
ПРИМЕЧАНИЯ |
ПАКЕТ FORMtr (ns) |
| TSAL4400 |
Большое часть |
MOQ: 5000 ПК, 5000 ПК/большое часть |
T-1 |
Примечание
Условия испытания видят таблицу «основные характеристики «
| СВОДКА ПРОДУКТА |
| КОМПОНЕНТ |
Ie (mW/sr) |
ϕ (deg) |
λP (nm) |
tr (ns) |
| TSAL4400 |
30 |
± 25 |
940 |
800 |
