Категории продукта

Электронные блоки IC

[24]

контакт

Yingxinyuan Int'l(Group) Ltd.

Город:shenzhen

Страна/регион:china

Контактное лицо:sales

контактная информация

контакт

China транзистор Texas Instruments LM5109BQNGTTQ1 15ns 108V NPN PNP wholesale

транзистор Texas Instruments LM5109BQNGTTQ1 15ns 108V NPN PNP

Спросите последнюю цену

Номер модели :LM5109BQNGTTQ1

Место происхождения :N/S

Количество минимального заказа :1pcs

Условия оплаты :T/T

Способность поставки :9999999+PCS

Срок поставки :2-7 дней работы

Тип :Транзистор триода

упаковка :& ленты; Вьюрок (TR)

Название продукта :Транзистор NPN

Гарантия :90days после грузить

Тип транзистора :NPN

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Транзистор Texas Instruments /TI LM5109BQNGTTQ1 NPN PNP

Модуль ECAD	Символ, след ноги & модель 3D PCB
Поддельная угроза в открытом рынке	34 pct.
Состояние предложения и спрос	Ограниченный
Популярность	Средство
Домашняя страница изготовителя	www.ti.com
Номер детали источника выигрыша	1200388-LM5109BQNGTTQ1
Уровень MSL	1 (неограниченный)
Количество пакета изготовителя	1
Номер детали семьи	LM5109
Пакет прибора поставщика	8-WSON (4x4)
Пакет изготовителя	8-WFDFN подвергло пусковая площадка действию
Устанавливать стиль	SMD
Диапазон температур - работающ	-40°C \| 125°C
Время подъема/падения	15ns, 15ns
Высокое бортовое напряжение тока - Макс (бутстрэп)	108V
Тип входного сигнала	Не-переворачивать
Настоящий - пиковая мощность (источник, раковина)	1A, 1A
Напряжение тока логики - VIL, VIH	0.8V, 2.2V
Подача напряжения (v)	8V \| 14V
Тип ворот	MOSFET N-канала
Количество водителей	2
Тип канала	Независимый
Управляемая конфигурация	Полу-мост
Упаковка	Вьюрок
Изготовитель	Texas Instruments
Категории	Интегральные схемаы

Особенности для LM5109B-Q1

Квалифицированный для автомобильных применений
AEC-Q100 квалифицировало со следующими результатами
- Ранг 1 температуры прибора
- Уровень 1C классификации прибора HBM ESD
- Уровень C4A классификации прибора CDM ESD
Приводы и N-канал на стороне высокого давления и Низко-стороны
MOSFET
течение пиковой мощности 1-A (1.0-A Sink/1.0-A
Источник)
Независимые входные сигналы TTL/CMOS совместимые
Подача напряжения бутстрэпа к DC 108-V
Быстрые времена распространения (30 ns типичное)
Нагрузка приводов 1000-pF с 15 подъемами и падением ns
Времена
Превосходный соответствовать задержки распространения (2 ns
Типичный)
Замыкание недонапряжения рельса поставки
Потребление низкой мощности
Термальн-увеличенный пакет WSON-8

Описание для LM5109B-Q1

LM5109B-Q1 рентабельный, высоковольтный водитель ворот конструированный для того чтобы управлять и MOSFETs на стороне высокого давления и низко-стороны N-канала в одновременном самце оленя или половинной конфигурации моста. Плавая на стороне высокого давления водитель работоспособен с напряжениями тока до 90 V. рельса. Выходы независимо проконтролированы с порогами входного сигнала логики TTL/CMOS совместимыми. Крепкая ровная технология переноса работает на высокой скорости пока уничтожающ низкую мощность и обеспечивающ чистые ровные переходы от логики входного сигнала контроля к на стороне высокого давления водителю ворот. Замыкание недонапряжения обеспечено как на низко-стороне, так и на на стороне высокого давления рельсах силы. Прибор доступен в термально увеличенном WSON (8) пакеты.

Запрос Корзина 0