Yingxinyuan Int'l(Group) Ltd.
YingXinYuan Electronic Technology Co., Ltd.
Add to Cart
Низкий сигнал передает STMicroelectronics STP75NF75
| Модуль ECAD | След ноги символа PCB & модель 3D |
| Страна происхождения | Китай |
| Галоид свободный | Уступчивый |
| Оцененная дата EOL | 2026 |
| Это общ-используемая часть? | Да |
| Популярность | Высокий |
| Поддельная угроза в открытом рынке | 41 pct. |
| Состояние предложения и спрос | Баланс |
| Альтернативные части (Перекрестная ссылка) |
AP75N07GP-HF; AP75N07GP; BUK9516-75B, 127; |
| ECCN | EAR99 |
| Дата введения | 10-Dec-01 |
| Фамилия | STP75NF75 |
| Номер детали источника выигрыша | 038692-STP75NF75 |
| Размер | TO-220-3 |
| Случай/пакет | TO-220AB |
| Установка | Через отверстие |
| Диапазон температур - работающ | -55°C к 175°C (TJ) |
| Максимальный Rds дальше на id, Vgs | 11 mOhm @ 40A, 10V |
| Диссипация силы (Макс) | 300W (Tc) |
| Максимальное напряжение тока Ворот-источника | ±20V |
| Максимальная входная емкость | 3700pF @ 25V |
| Максимальная обязанность ворот | 160nC @ 10V |
| Напряжение тока порога Ворот-источника | 4V @ 250μA |
| Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) | 10V |
| Непрерывное течение стока на 25°C | 80A (Tc) |
| Пробивное напряжение Сток-источника | 75V |
| Технология | MOSFET |
| Полярность | N-канал |
| Состояние | Активный |
| Упаковка | Трубка/рельс |
| Изготовитель | STMicroelectronics |
| Категории | Дискретные продукты полупроводника |