Категория :Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
Биполярный (BJT)
Биполярные транзисторные массивы,
Ток - коллектор (Ic) (макс.) :100mA, 500mA
Статус продукта :Не для новых моделей
Тип транзистора :1 НПН предварительно предвзятый, 1 НПН
Частота - переходный период :250 МГц, 320 МГц
Тип установки :Поверхностный монтаж
Пакет :Лента и катушка (TR)
Серия :-
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic :300mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.) :50 В, 12 В
Пакет изделий поставщика :EMT6
Резистор - основа (R1) :47 кОмм
Мфр :ROHM полупроводник
Резистор - база излучателя (R2) :47 кОмм
Ток - предел коллектора (макс.) :500nA
Мощность - Макс :150 мВт
Пакет / чемодан :SOT-563, SOT-666
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce :68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Номер базовой продукции :EMF8T2
more