Категория :Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
Биполярный (BJT)
Биполярные транзисторные массивы,
Ток - коллектор (Ic) (макс.) :100 мА
Статус продукта :Старый
Тип транзистора :1 НПН, 1 ПНП - предвзятое (двойное)
Частота - переходный период :200 МГц
Тип установки :Поверхностный монтаж
Пакет :Лента и катушка (TR)
Серия :-
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic :300mV @ 250μA, 5mA
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.) :50 В
Пакет изделий поставщика :SOT-563
Резистор - основа (R1) :470 Омм
Мфр :Диоды встроенные
Резистор - база излучателя (R2) :10кОм
Ток - предел коллектора (макс.) :-
Мощность - Макс :150 мВт
Пакет / чемодан :SOT-563, SOT-666
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce :56 @ 10mA, 5В
Номер базовой продукции :DCX142
more