Категория продуктов :MOSFET
Vgs (макс.) :± 20 В
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C :80A (Tc)
Тип FET :N-канал
Тип установки :Поверхностный монтаж
Загрузка шлюза (Qg) (Max) @ Vgs :170 нКл при 10 В
Производитель :Infineon Technologies
Минимальное количество :1000
Напряжение привода (максимальное включение, минимальное включение) :10 В
Рабочая температура :-55°C ~ 175°C (TJ)
Функция FET :-
Серия :OptiMOS™
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds :5110pF @ 25V
Пакет изделий поставщика :ПГ-ТО263-3-2
Статус части :Старый
Упаковка :Лента и катушка (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :40,8 мОм @ 80А, 10В
Рассеивание мощности (макс.) :300W (Tc)
Пакет / чемодан :TO-263-3, D2Pak (2 лиды + Таб), TO-263AB
Технология :MOSFET (металлическая окись)
Vgs(th) (Max) @ Id :4V @ 250µA
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) :55V
Описание :MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
more