Категория :Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.) :183 А
Статус продукта :Активный
Тип установки :Подвеска на шасси
Пакет :Коробка
Серия :-
Пакет / чемодан :E3
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic :2,2 В при 15 В, 100 А
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.) :1200 В
Пакет изделий поставщика :E3
Мфр :IXYS
Операционная температура :-40°C ~ 125°C (TJ)
Ток - предел коллектора (макс.) :300 мкА
Тип IGBT :-
Мощность - Макс :630 Вт
Ввод :Стандартный
Вводная емкость (Cies) @ Vce :7,43 nF @ 25 v
Конфигурация :Полный инвертор моста
Термистор NTC :Нет, нет.
Номер базовой продукции :MIEB101
Описание :Модуль IGBT 1200В 183A 630W E3
more