Категория :Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
Биполярный (BJT)
Биполярные транзисторные массивы,
Ток - коллектор (Ic) (макс.) :100 мА
Статус продукта :Активный
Тип транзистора :2 ПНП - предвзятое (двойное)
Частота - переходный период :200 МГц
Тип установки :Поверхностный монтаж
Пакет :Лента и катушка (TR)
Режущая лента (КТ)
Digi-Reel®
Серия :-
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic :300mV @ 250μA, 5mA
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.) :50 В
Пакет изделий поставщика :US6
Резистор - основа (R1) :20,2 кОм
Мфр :Toshiba Semiconductor и хранилища
Резистор - база излучателя (R2) :47 кОмм
Ток - предел коллектора (макс.) :100nA (ICBO)
Мощность - Макс :200mw
Пакет / чемодан :6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce :80 @ 10mA, 5В
Номер базовой продукции :RN2965
more