Категория :Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
Биполярный (BJT)
Биполярные транзисторные массивы,
Ток - коллектор (Ic) (макс.) :100 мА
Статус продукта :Старый
Тип транзистора :2 NPN - предвзятое (двойное)
Частота - переходный период :150 МГц
Тип установки :Поверхностный монтаж
Пакет :Лента и катушка (TR)
Серия :-
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic :300mV @ 500µA, 10mA
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.) :50 В
Пакет изделий поставщика :PG-SOT363-PO
Резистор - основа (R1) :40,7 кОм
Мфр :Infineon Technologies
Резистор - база излучателя (R2) :-
Ток - предел коллектора (макс.) :-
Мощность - Макс :250mW
Пакет / чемодан :6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce :120 @ 5mA, 5В
Номер базовой продукции :BCR119
more