Категория :Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
Биполярный (BJT)
Биполярные транзисторные массивы,
Ток - коллектор (Ic) (макс.) :100 мА
Статус продукта :Активный
Тип транзистора :1 ПНП предварительно предвзятое, 1 НПН
Частота - переходный период :250 МГц
Тип установки :Поверхностный монтаж
Пакет :Лента и катушка (TR)
Серия :-
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic :300mV @ 250μA, 5mA
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.) :50 В
Пакет изделий поставщика :SMT6
Резистор - основа (R1) :40,7 кОм
Мфр :ROHM полупроводник
Резистор - база излучателя (R2) :-
Ток - предел коллектора (макс.) :500nA (ICBO)
Мощность - Макс :300 мВт
Пакет / чемодан :SC-74, SOT-457
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce :100 @ 1mA, 5В
Номер базовой продукции :IMD6
more