Категория :Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
Биполярный (BJT)
Биполярные транзисторные массивы
Ток - коллектор (Ic) (макс.) :3А
Статус продукта :Активный
Тип транзистора :2 NPN (двойного)
Тип установки :Поверхностный монтаж
Частота - переходный период :130MHz
Пакет :Насыщенные
Серия :Автомобиль, AEC-Q101
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic :330 мВ @ 300 мА, 3А
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.) :100 В
Пакет изделий поставщика :PowerDI5060-8 (тип UXD)
Мфр :Диоды встроенные
Ток - предел коллектора (макс.) :100nA
Мощность - Макс :1.47W
Пакет / чемодан :8-PowerTDFN
Операционная температура :-55°C ~ 150°C (TJ)
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce :150 @ 500mA, 10В
Номер базовой продукции :DXTN3C100
Описание :SS Низкоуровневый транзистор PowerDI506
more