Категория :Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
Биполярный (BJT)
Биполярные транзисторные массивы
Ток - коллектор (Ic) (макс.) :500 мА
Статус продукта :Старый
Тип транзистора :8 NPN Darlington
Тип установки :Через дыру
Частота - переходный период :-
Пакет :Трубка
Серия :-
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic :1.6В @ 500μA, 350mA
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.) :50 В
Пакет изделий поставщика :18-DIP
Мфр :Toshiba Semiconductor и хранилища
Ток - предел коллектора (макс.) :-
Мощность - Макс :1.47W
Пакет / чемодан :18-DIP (0,300", 7.62mm)
Операционная температура :-40 °C ~ 85 °C (TA)
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce :1000 @ 350mA, 2 В
Номер базовой продукции :ULN2803
Описание :Транс 8NPN DARL 50V 0,5A 18DIP
more